JEDEC正在緊鑼密鼓地推進(jìn)DDR6內(nèi)存規(guī)范的準(zhǔn)備工作。
據(jù)報(bào)道,JEDEC正在緊鑼密鼓地推進(jìn)DDR6內(nèi)存規(guī)范的準(zhǔn)備工作。目前,三大DRAM內(nèi)存原廠已經(jīng)完成了DDR6原型芯片的設(shè)計(jì)。按照規(guī)劃,新一代的DDR內(nèi)存有望在2026年進(jìn)行平臺測試與驗(yàn)證,并于2027年正式進(jìn)入大規(guī)模導(dǎo)入期。
從技術(shù)參數(shù)來看,DDR6的性能有了顯著提升。與已公布的LPDDR6規(guī)范類似,DDR6的單通道位寬提升了50%,達(dá)到了96bit。同時,子通道劃分也從DDR5時期的2×32bit細(xì)化為4×24bit。在原生頻率方面,DDR6起步為8800MT/s,有望達(dá)到17600MT/s。這種位寬的提升和頻率的增加,將大幅提高內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度和處理能力,為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)帶來更強(qiáng)大的性能支持。
DDR6與LPDDR6位寬的同比變化,對于筆記本電腦SoC等采用雙內(nèi)存規(guī)范的平臺來說,具有簡化設(shè)計(jì)的優(yōu)勢。這意味著在這些設(shè)備上,內(nèi)存的兼容性和性能表現(xiàn)將得到進(jìn)一步優(yōu)化。在模組外形規(guī)格方面,由于DDR6對信號完整性和I/O設(shè)計(jì)提出了更高的要求,新興的CAMM系預(yù)計(jì)將成為主流解決方案,逐漸取代傳統(tǒng)的DIMM規(guī)格。CAMM系的應(yīng)用將更好地滿足DDR6內(nèi)存的性能需求,提升整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布
不久前,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了JESD209-6,即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率6(LPDDR6)標(biāo)準(zhǔn)。
JEDEC表示,JESD209-6旨在顯著提升多種應(yīng)用場景(包括移動設(shè)備和人工智能)的內(nèi)存速度與效率,新版JESD209-6LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步,在性能、能效和安全性方面均有提升。
核心參數(shù)方面,LPDDR6的頻率將從10667MHz起步,最高可達(dá)14400MHz,同時位寬也得到進(jìn)一步增加,單通道從16bit升級到24bit,四通道內(nèi)存的手機(jī)從64bit升級到96bit,筆記本上則是從128bit升級到192bit,顯存帶寬顯然也是隨之大幅提升,對于集成顯卡的性能表現(xiàn)有著非常大的助力。
LPDDR6采用雙子通道架構(gòu),每個子通道有12條數(shù)據(jù)信號線(DQs),在保持32字節(jié)小訪問粒度的同時實(shí)現(xiàn)靈活操作;每個子通道包含4條命令/地址(CA)信號,減少焊球數(shù)量并提高數(shù)據(jù)訪問速度;支持靜態(tài)效率模式,帶來更大容量內(nèi)存配置支持并最大化存儲體資源利用率;靈活的數(shù)據(jù)訪問,支持實(shí)時突發(fā)長度控制,可實(shí)現(xiàn)32B和64B訪問;動態(tài)寫入NT-ODT(非目標(biāo)片上終端),使內(nèi)存能根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整ODT,提升信號完整性。
能效方面,LPDDR6采用更低電壓和低功耗的VDD2供電,并強(qiáng)制要求VDD2采用雙電源設(shè)計(jì);采用交替時鐘命令輸入,提升性能和能效;低功耗動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)(DVFSL),在低頻運(yùn)行時降低VDD2電壓,減少功耗;動態(tài)效率模式,在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口;支持部分自刷新和主動刷新。這些特性使得LPDDR6擁有更好的能效表現(xiàn)。
安全性方面,LPDDR6也得到了很大提升,新增了每行激活計(jì)數(shù)的支持(PRAC),增強(qiáng)了DRAM數(shù)據(jù)完整性;定義隔離元模式,通過為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域,提升整體系統(tǒng)可靠性;支持可編程鏈路保護(hù)方案和片上糾錯碼(ECC);能夠支持命令/地址(CA)奇偶校驗(yàn)、錯誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試(MBIST),增強(qiáng)錯誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。
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