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高涵中
SICRIUSPY302系列設(shè)備已通過多家晶圓廠嚴(yán)格驗證，在先進(jìn)邏輯與存儲芯片制造中實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布SICRIUSPY302系列12英寸低壓化學(xué)氣相硅沉積立式爐設(shè)備。該設(shè)備面向高端邏輯芯片與存儲芯片領(lǐng)域非晶硅、多晶硅薄膜沉積技術(shù)，成功攻克高深寬比結(jié)構(gòu)填充、高平坦度薄膜生長和兼容低溫工藝三大技術(shù)瓶頸，標(biāo)志著北方華創(chuàng)在高端半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域持續(xù)取得關(guān)鍵技術(shù)突破。
在三維集成芯片制造成為主流的今天，堆疊層數(shù)的增加帶來了更高的深寬比要求，這使得垂直結(jié)構(gòu)填充面臨挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)填充工藝容易產(chǎn)生孔洞，從而導(dǎo)致器件失效。SICRIUSPY302系列設(shè)備通過其低壓反應(yīng)腔技術(shù)和多區(qū)獨立高精度溫控系統(tǒng)，實現(xiàn)了自下而上的無缺陷填充，確保了高臺階覆蓋率。這一技術(shù)突破為邏輯芯片和存儲芯片等頭部企業(yè)的量產(chǎn)需求提供了堅實保障。
在高端芯片柵極制造中，實現(xiàn)薄膜的高平坦度是一項關(guān)鍵挑戰(zhàn)。SICRIUSPY302系列設(shè)備采用全自主設(shè)計的全石英腔室與高精度溫度控制加熱器，結(jié)合氣體流場與熱場協(xié)同控制算法，將膜厚均勻性和表面粗糙度控制在原子級，顯著提升晶體管電性穩(wěn)定性。同時，該設(shè)備集成了多種硅源前驅(qū)體，并實現(xiàn)了原位清洗、原位刻蝕和多元素?fù)诫s等先進(jìn)工藝功能，從而大幅降低了器件的缺陷率。
目前，SICRIUSPY302系列設(shè)備已通過多家領(lǐng)先晶圓廠的嚴(yán)格驗證，在先進(jìn)邏輯與存儲芯片制造中實現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn)，并持續(xù)獲得重復(fù)訂單，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供了高效、可靠的設(shè)備解決方案。
北方華創(chuàng)2024年薄膜沉積設(shè)備收入超100億元
薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體制造的核心裝備，通過物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、外延生長（EPI）、電化學(xué)沉積（ECP）及原子層沉積（ALD）等技術(shù)，在基底表面精準(zhǔn)構(gòu)筑納米級功能膜層，這些膜層在芯片中扮演重要的角色。根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2023年薄膜沉積設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為22.1%。
2024年北方華創(chuàng)薄膜沉積設(shè)備收入超100億元，并且已經(jīng)形成了物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、外延和電鍍設(shè)備的全系列布局。
根據(jù)年度報告披露的信息，目前北方華創(chuàng)批量銷售的化學(xué)氣相沉積主要包括：
12英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）：主要用于12英寸邏輯、存儲芯片氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多種高品質(zhì)介質(zhì)薄膜沉積，可滿足對鈍化層、隔離層、抗反射層、刻蝕停止層等多樣化的應(yīng)用需求。該設(shè)備可實現(xiàn)高均勻性、高產(chǎn)能的薄膜沉積，工藝一致性更好、可靠性更高。
12英寸高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（HDPCVD）：主要用于12英寸邏輯、存儲芯片介質(zhì)填充工藝。該設(shè)備通過同時進(jìn)行沉積和刻蝕的工藝方式，有效完成高深寬比溝槽的介質(zhì)填充，具備高沉積速率、優(yōu)異的填孔能力和高致密的薄膜質(zhì)量等優(yōu)勢。
12英寸低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）：主要用于12英寸邏輯、存儲芯片接觸孔和通孔填充。該設(shè)備通過精確的溫度、氣體脈沖時間和壓力控制，實現(xiàn)高深寬比結(jié)構(gòu)填充需求。
8英寸金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MOCVD）：主要用于功率、射頻、光電子、Micro-LED、高效光伏等器件中的外延生長。
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來源：紅網(wǎng)
作者：汝詩雙
編輯：游郁涵
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