IT之家8月4日消息,南芯科技今日發(fā)布第二代車(chē)規(guī)級(jí)高邊開(kāi)關(guān)(HSD)SC77450CQ,基于國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的垂直溝道BCD集成工藝和全國(guó)產(chǎn)化封測(cè)供應(yīng)鏈,在N型襯底單晶圓上實(shí)現(xiàn)了MOS與控制器的融合。
南芯科技表示,SC77450CQ打破了海外技術(shù)壟斷,是國(guó)內(nèi)首顆全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈垂直集成工藝的高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。
IT之家注:高邊開(kāi)關(guān)是一種用于汽車(chē)及工業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體設(shè)備,通過(guò)集成功率MOSFET、邏輯驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能,實(shí)現(xiàn)對(duì)馬達(dá)、車(chē)燈、電機(jī)等負(fù)載的智能控制。
垂直溝道BCD集成工藝是一種單片晶圓級(jí)技術(shù),在同一N型硅襯底上制造雙極性晶體管(Bipolar)、CMOS、DEMOS、LDMOS、VDMOS。合封工藝則是在封裝階段把功率器件、控制IC通過(guò)平鋪或堆疊方式裝入同一封裝體,用引線(xiàn)完成電氣連接,芯片之間保持物理獨(dú)立。
集成工藝具有共襯底、短互連的特點(diǎn),特別適合高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,但技術(shù)長(zhǎng)期被海外廠商壟斷;合封工藝則可以針對(duì)MOS管和控制器分別采用當(dāng)前國(guó)產(chǎn)最成熟的工藝制程,電壓等級(jí)可延展性更強(qiáng)。下圖展示了集成工藝和合封工藝的原理圖及關(guān)鍵特征對(duì)比。
▲工藝原理圖及關(guān)鍵特征對(duì)比。左:集成工藝,右:合封工藝
針對(duì)智能高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,南芯科技基于雙軌工藝演進(jìn)路線(xiàn),目前已推出30余款不同封裝形式的高性能產(chǎn)品,并設(shè)立專(zhuān)門(mén)的工藝團(tuán)隊(duì),與國(guó)內(nèi)晶圓廠深度合作,落地第二代集成工藝高邊開(kāi)關(guān)。第三代南芯自研COT工藝平臺(tái)也已啟動(dòng)開(kāi)發(fā),目標(biāo)用于車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品等高端市場(chǎng)。
SC77450CQ采用垂直BCD集成工藝平臺(tái)設(shè)計(jì),是一款四通道智能高邊開(kāi)關(guān),導(dǎo)通電阻低至50mΩ,可實(shí)現(xiàn)4V-28V寬壓供電、40V拋負(fù)載耐壓及0.5μA待機(jī)電流。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高精度電流檢測(cè),2A時(shí)電流檢測(cè)精度達(dá)±4%;采用帶散熱焊盤(pán)的eSSOP-14封裝,引腳兼容國(guó)際競(jìng)品。
▲SC77450CQ引腳圖
SC77450CQ集成了保護(hù)機(jī)制和精確的診斷功能,包括過(guò)流和對(duì)地短路自關(guān)斷、相對(duì)過(guò)熱保護(hù)和絕對(duì)過(guò)熱保護(hù)、智能鎖止功能、負(fù)電壓鉗位、關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路和對(duì)電池短路檢測(cè)、掉地與掉電保護(hù)、過(guò)壓與欠壓保護(hù),可多路復(fù)用模擬信號(hào)輸出,實(shí)時(shí)按比例反饋各通道負(fù)載電流。
▲SC77450CQ典型應(yīng)用圖
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