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北京密云85歲老人:沒(méi)見(jiàn)過(guò)這么大的水
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
專家指出,韓美半導(dǎo)體2029年的混合鍵合時(shí)間表“過(guò)于保守”。
韓美半導(dǎo)體已開(kāi)始量產(chǎn)其用于HBM4的熱壓鍵合機(jī)(TCB),旨在瞄準(zhǔn)由AI工作負(fù)載驅(qū)動(dòng)的快速擴(kuò)張的高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)。然而,其混合鍵合路線圖的延遲引發(fā)了批評(píng),認(rèn)為其落后于行業(yè)趨勢(shì)。
TCB4,瞄準(zhǔn)HBM4需求激增
隨著SK海力士、三星電子和美光計(jì)劃于2025年末提升HBM4的產(chǎn)量,韓美的升級(jí)版TCBonder4進(jìn)入量產(chǎn),成為一種經(jīng)濟(jì)高效、高精度的工具。TCB4于2024年5月推出原型機(jī),目前已準(zhǔn)備好批量出貨,并得到了完善的生產(chǎn)線的支持。
HBM4的性能超越HBM3E,數(shù)據(jù)傳輸速度提升60%,功耗降低30%。它支持多達(dá)16層的堆疊,每die容量從24Gb擴(kuò)展到32Gb。TSVI/O數(shù)量翻倍至2,048個(gè),顯著提升了內(nèi)存到處理器的帶寬。
TCB4在鍵合精度和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性方面進(jìn)行了重大升級(jí),以應(yīng)對(duì)HBM4的復(fù)雜堆疊。軟件也得到了改進(jìn),以提供更好的用戶體驗(yàn)。韓美沒(méi)有采用無(wú)助焊劑鍵合,而是改進(jìn)了現(xiàn)有架構(gòu),以降低成本并加速市場(chǎng)進(jìn)入。
據(jù)Hellot.net報(bào)道,韓美組建了一個(gè)名為“銀鳳凰”(SilverPhoenix)的專門(mén)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持TCB4的推出,該團(tuán)隊(duì)由50多名專家組成,專注于客戶支持、維護(hù)和下一代產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
混合鍵合路線圖,太慢了?
盡管韓美目前的TCB戰(zhàn)略使其能夠應(yīng)對(duì)HBM4和HBM5的即時(shí)需求,但其針對(duì)無(wú)助焊劑和混合鍵合工具的長(zhǎng)期路線圖引發(fā)了擔(dān)憂。根據(jù)其公布的日程:
用于HBM5的TCB5將于2027年推出
用于HBM6的無(wú)助焊劑TCB將于2028年推出
用于HBM7的混合鍵合機(jī)將于2029年推出
行業(yè)分析師警告稱,韓美存在落后的風(fēng)險(xiǎn),因?yàn)槠浜商m競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BESemiconductorIndustries(Besi)已經(jīng)從三家主要HBM供應(yīng)商中的兩家獲得了混合鍵合機(jī)訂單——這清楚地表明混合鍵合的轉(zhuǎn)型正在加速。
混合鍵合主要用于實(shí)現(xiàn)不同芯片之間的高密度、高性能互聯(lián)。這種技術(shù)的關(guān)鍵特征是通過(guò)直接銅對(duì)銅的連接方式取代傳統(tǒng)的凸點(diǎn)或焊球(bump)互連,從而能夠在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)超精細(xì)間距的堆疊和封裝,達(dá)到三維集成的目的。
在混合鍵合工藝中,兩個(gè)或多個(gè)芯片的金屬層(通常是銅層)被精密對(duì)準(zhǔn)并直接壓合在一起,形成直接電學(xué)接觸。為了保證良好的連接效果,需要在芯片表面進(jìn)行特殊的處理,例如沉積一層薄且均勻的介電材料(如SiO2或SiCN),并在其上制備出微米甚至納米級(jí)別的銅墊和通孔(TSV)。這些銅墊和通孔將芯片內(nèi)部的電路與外部相連,使得數(shù)據(jù)傳輸速度更快、功耗更低,同時(shí)極大地提升了芯片的集成度。
Besi的2025年第一季度報(bào)告證實(shí)了與HBM4相關(guān)的混合鍵合機(jī)訂單,標(biāo)志著從邏輯到內(nèi)存應(yīng)用的轉(zhuǎn)變。據(jù)報(bào)道,Besi和韓國(guó)的韓華半導(dǎo)體都在競(jìng)相開(kāi)發(fā)無(wú)助焊劑TCB工具,旨在從SK海力士等主要廠商那里獲得合同。
TheElec報(bào)道稱,Besi和ASMPT也正在量產(chǎn)無(wú)助焊劑鍵合工具,據(jù)稱美光已經(jīng)收到了來(lái)自Besi的此類(lèi)設(shè)備。
一位半導(dǎo)體封裝專家在Greened.kr上表示,韓美2029年的混合鍵合時(shí)間表“過(guò)于保守”,并指出全球競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)在使用該技術(shù)。
韓美半導(dǎo)體,戰(zhàn)略性延遲?
韓美可能正在刻意放慢腳步。今年1月,該公司在仁川動(dòng)工建設(shè)其第七工廠,該工廠此后已被重新歸類(lèi)為僅用于混合鍵合的工廠。該設(shè)施將作為未來(lái)鍵合平臺(tái)的研發(fā)和客戶驗(yàn)證中心。
一位業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,延遲可能是戰(zhàn)略性的,因?yàn)镴EDEC放寬了HBM4堆疊高度標(biāo)準(zhǔn),這給了內(nèi)存制造商延長(zhǎng)使用TCB方法的余地,為韓美贏得了優(yōu)化性能和降低成本的時(shí)間。
即便如此,如果內(nèi)存制造商加速采用混合鍵合來(lái)解決未來(lái)HBM節(jié)點(diǎn)中的散熱和堆疊挑戰(zhàn),韓美對(duì)升級(jí)后的傳統(tǒng)技術(shù)的依賴可能會(huì)損害其長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì)。
韓美半導(dǎo)體成立于1980年,長(zhǎng)期以來(lái)專注于半導(dǎo)體后道工藝(封裝)設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)。其核心產(chǎn)品涵蓋了熱壓鍵合、晶圓級(jí)封裝設(shè)備、引線鍵合機(jī)等,尤其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,韓美半導(dǎo)體以其在垂直堆疊和精密連接方面的技術(shù)實(shí)力而聞名,已成為全球重要的供應(yīng)商之一,服務(wù)于各大存儲(chǔ)器廠商和晶圓代工廠。
BeSemiconductor是全球半導(dǎo)體和電子行業(yè)半導(dǎo)體組裝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商,以低擁有成本提供高水平的精度、生產(chǎn)力和可靠性。
BesiBesi為鉛框、基板和晶圓級(jí)封裝應(yīng)用開(kāi)發(fā)領(lǐng)先的組裝工藝和設(shè)備,涵蓋廣泛的終端用戶市場(chǎng),包括電子、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)、工業(yè)、LED和太陽(yáng)能等??蛻糁饕穷I(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商、組裝分包商以及電子和工業(yè)公司。
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