本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
代工大戰(zhàn)一觸即發(fā)。
有博主在X平臺發(fā)布推文,曝料稱高通已取消了三星的2納米工藝代工計劃,不再委托其生產(chǎn)第二代驍龍8至尊版芯片。
高通內(nèi)部列表中,此前對第二代驍龍8至尊版芯片(基礎型號編號SM8850),有2個版本:一種是臺積電制造的3納米版本(編號為8850-T),另一種是三星基于2納米技術制造的版本(編號為8850-S)。
驍龍8Elite2是高通下一代旗艦移動處理器,預計于2025年9月底發(fā)布。其采用臺積電第三代3納米(N3P)工藝,CPU為第二代自研Oryon架構,2+6全大核設計,主頻達4.4GHz。GPU為Adreno840,獨立緩存16MB,圖形性能提升約30%。它還支持SME等指令集,AI性能強勁。整體性能相比上一代顯著提升,有望由小米16系列首發(fā)搭載。
而最新消息稱高通內(nèi)部已不再區(qū)分版本,只剩下基礎的SM8850型號,推測指的是臺積電制造的3納米芯片。
科技媒體AndroidHeadline觀點,認為從種種跡象表明,高通第二代驍龍8至尊版可能完全依賴臺積電代工。高通上調(diào)了第二代驍龍8至尊版芯片原型的價格,現(xiàn)在對感興趣的公司來說,成本高達15000美元。消息源還透露高通正在研發(fā)SM8845芯片,預估為驍龍8sGen5芯片,但目前尚不清楚具體規(guī)格細節(jié)。
另外,三星將代工生產(chǎn)部分高通驍龍8Elite2芯片,工藝升級為2納米制程的三星SF2,套片報價比臺積電3納米版本更低,或?qū)⒂诿髂晟暇€。
三星對其2納米工藝已有完整布局,包括SF2、SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多個節(jié)點。其中,SF2為首個實現(xiàn)量產(chǎn)的2納米工藝節(jié)點。相比上一代,該工藝在性能方面提升12%,能效提升25%。同時,SF2采用了GAA技術,中文名稱為“全環(huán)繞柵極”晶體管架構。相關信息表明,GAA架構在性能和制造良率方面正在不斷成熟。
至于更先進的1.4納米,三星原定于今年第二季度動工的1.4納米測試線建設計劃已被推遲,預計投資將延后至今年年底或最早明年上半年。這一調(diào)整意味著三星原計劃于明年開始提供的1.4納米工藝服務可能會延期,業(yè)界預計其量產(chǎn)時間可能推遲至2028年左右。
推遲投資決策的主要原因是三星晶圓代工業(yè)務面臨的市場低迷,今年第一季度,三星晶圓代工部門錄得約2萬億韓元的虧損。由于客戶訂單減少和銷售額下滑,三星已將其年初約10萬億韓元的年度設備投資計劃削減至約5萬億韓元,采取更為保守的投資和管理策略。面對市場壓力,三星電子現(xiàn)階段將重心轉(zhuǎn)向“強化內(nèi)部結(jié)構”,集中人力和投資資源于計劃于今年年底量產(chǎn)的2納米工藝上。
三星2納米制程已進入關鍵節(jié)點——為GalaxyS26系列定制的Exynos2600芯片已啟動原型量產(chǎn),目標是在不犧牲性能的前提下將良率提升至50%以上。若達成這一目標,三星計劃于2026年初開啟全面量產(chǎn)。
值得注意的是,三星2納米工藝的良率提升頗具挑戰(zhàn)性。今年初的初始測試量產(chǎn)中,其良率僅約30%,目前的良率已達到40%,而此次50%的目標若實現(xiàn),將較初期提升20個百分點。這一進展被視為三星Foundry的重要里程碑,尤其是對比其3納米工藝——即便量產(chǎn)三年,良率仍徘徊在50%左右。作為三星2納米技術的“試金石”,Exynos2600的性能與良率將直接影響業(yè)界對其下一代制程的信心。若能成功量產(chǎn),三星有望憑借Exynos芯片重新與高通驍龍形成競爭,進一步控制成本。
盡管臺積電當前良率領先,但三星正通過技術迭代縮小差距。三星寄望于3納米GAA架構的經(jīng)驗積累,加速2納米良率提升,并挖角臺積電前高管韓美玲(MargaretHan)執(zhí)掌晶圓代工部門,試圖復制臺積電的管理經(jīng)驗。而臺積電則憑借成熟的良率和客戶信任度,鞏固其龍頭地位。
業(yè)內(nèi)分析指出,2納米制程的競爭不僅關乎技術實力,更直接影響半導體產(chǎn)業(yè)鏈的話語權。三星若能將良率穩(wěn)定在50%以上,有望以成本優(yōu)勢吸引NVIDIA、高通等客戶作為備選供應商,而臺積電則憑借更高良率和產(chǎn)能保障,繼續(xù)占據(jù)主流訂單。隨著兩家巨頭在2025年下半年陸續(xù)投產(chǎn)2納米,一場圍繞高性能芯片的“代工大戰(zhàn)”已一觸即發(fā)。
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