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在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)演進(jìn)的進(jìn)程中，先進(jìn)封裝技術(shù)已一躍成為各大晶圓大廠激烈角逐的戰(zhàn)略要地。隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，傳統(tǒng)芯片制程微縮面臨重重挑戰(zhàn)，先進(jìn)封裝憑借其能夠在不依賴制程工藝提升的前提下，實(shí)現(xiàn)芯片高密度集成、體積微型化以及成本降低等顯著優(yōu)勢(shì)，完美契合了高端芯片向更小尺寸、更高性能、更低功耗發(fā)展的趨勢(shì)，從而成為延續(xù)摩爾定律和超越摩爾定律的關(guān)鍵路徑。

值得注意的是，近年來，除了風(fēng)頭頗盛的CoWoS外，CoPoS、EMIB-T等新的先進(jìn)封裝技術(shù)又被提出，主要晶圓大廠紛紛加快腳步，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域積極開啟新一輪技術(shù)布局和競(jìng)爭(zhēng)。

01

臺(tái)積電：“化圓為方”引領(lǐng)封裝變革

臺(tái)積電作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，在先進(jìn)封裝技術(shù)方面始終走在行業(yè)前沿。其推出的CoPoS（Chip-on-Package-on-Substrate）技術(shù)，以“化圓為方”的創(chuàng)新性理念，徹底顛覆了傳統(tǒng)封裝模式。傳統(tǒng)的圓形晶圓在封裝過程中存在一定的局限性，而CoPoS技術(shù)直接將芯片排列在大型方形面板基板上進(jìn)行封裝，這種設(shè)計(jì)堪稱對(duì)現(xiàn)有CoWoS-L或CoWoS-R技術(shù)的矩形化革新。

從技術(shù)層面深入剖析，CoPoS技術(shù)通過將傳統(tǒng)圓形晶圓改為310x310毫米方形設(shè)計(jì)，極大地提升了單位面積的利用率。經(jīng)測(cè)算，這一改進(jìn)預(yù)計(jì)可降低約15%-20%的制造成本，成本優(yōu)勢(shì)十分顯著。在產(chǎn)能布局方面，臺(tái)積電規(guī)劃在嘉義AP7廠區(qū)構(gòu)建新一代先進(jìn)封裝技術(shù)CoPoS的量產(chǎn)工廠，目標(biāo)是在2028年底至2029年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。嘉義AP7廠區(qū)的規(guī)劃充分彰顯了臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的系統(tǒng)性投入。該園區(qū)分階段建設(shè)8個(gè)產(chǎn)線單元，其中P4廠專門用于CoPoS量產(chǎn)，P2/P3廠則優(yōu)先支持SoIC（晶圓級(jí)3D堆疊）技術(shù)，P1廠為蘋果WMCM多芯片模組保留專屬產(chǎn)能。與傳統(tǒng)封裝重鎮(zhèn)南科AP8（主要聚焦CoWoS）相比，AP7廠區(qū)憑借更大的廠房空間以及更為完善的制程配套，將成為臺(tái)積電整合SoIC、CoPoS等前沿封裝技術(shù)的核心基地。

此外，臺(tái)積電被曝已在為2026年蘋果A20系列SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）的封裝，啟動(dòng)了WMCM（Wafer-LevelMulti-ChipModule，晶圓級(jí)多芯片封裝）新工藝試生產(chǎn)準(zhǔn)備工作。WMCM是一種在晶圓級(jí)將多顆芯片集成封裝的技術(shù)，能夠在保持高集成度的同時(shí)，顯著縮小封裝體積并提升信號(hào)傳輸效率。

02

英特爾：EMIB-T技術(shù)的升級(jí)與拓展

英特爾在先進(jìn)封裝領(lǐng)域同樣成果斐然，其推出的EMIB（EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge）技術(shù)，即嵌入式多芯片互聯(lián)橋，已經(jīng)成功投入生產(chǎn)。該技術(shù)突破了光罩尺寸的限制，實(shí)現(xiàn)了多芯片之間的高速互聯(lián)。在需要高密度互連的芯片部位，通過將硅片嵌入基板，形成高密度互連橋，而其他區(qū)域則通過基板進(jìn)行互連。在同一個(gè)封裝內(nèi)，甚至在同一個(gè)芯片的不同區(qū)域，EMIB互連和常規(guī)互連能夠共存，臺(tái)積電的CoWoS-L技術(shù)在一定程度上便是借鑒了EMIB技術(shù)。

在此基礎(chǔ)上，英特爾進(jìn)一步推出了EMIB-T先進(jìn)封裝技術(shù)。EMIB-T通過引入硅通孔（TSV）技術(shù)，對(duì)芯片之間的電源傳輸和數(shù)據(jù)通信進(jìn)行了優(yōu)化。與傳統(tǒng)的EMIB相比，它摒棄了懸臂式的供電方式，而是借助封裝底部的TSV直接供電，這一改進(jìn)有效地降低了電阻，從而能夠更好地支持像HBM4和HBM4e這樣的高性能內(nèi)存。同時(shí)，TSV技術(shù)還大幅增加了芯片間的通信帶寬，并且兼容UCIe-A互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)傳輸速度超過32Gb/s。為了減少信號(hào)干擾，英特爾還在橋接器里加入了高功率的MIM電容器，確保信號(hào)傳輸更加穩(wěn)定可靠。

在2025IEEE電子器件技術(shù)大會(huì)（ECTC）上，英特爾分享了其封裝技術(shù)的最新進(jìn)展。除了在供電穩(wěn)定性方面通過EMIB-T取得突破外，英特爾還計(jì)劃通過探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進(jìn)工藝來提高封裝的良率和可靠性。隨著封裝尺寸不斷增大，集成多芯片的復(fù)雜程度也同步提升，熱壓鍵合技術(shù)的應(yīng)用將有助于應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。此外，隨著封裝變得越來越復(fù)雜，尺寸不斷增大，熱設(shè)計(jì)功耗（TDP）也在持續(xù)增加。為有效解決散熱難題，英特爾正在研發(fā)全新的分解式散熱器技術(shù)，以及新一代熱界面材料。這些創(chuàng)新技術(shù)能夠更高效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的各個(gè)部分，進(jìn)而顯著提升整體的散熱效率，為高性能芯片的穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障。

03

聯(lián)電：加碼W2W3DIC先進(jìn)封裝

晶圓代工大廠聯(lián)電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域也展現(xiàn)出積極進(jìn)取的姿態(tài)。近期，聯(lián)電正考慮在南科收購瀚宇彩晶廠房，以大力推動(dòng)其先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展。盡管聯(lián)電對(duì)市場(chǎng)傳言未作出直接回應(yīng)，但公司高層明確表示，未來在中國臺(tái)灣地區(qū)的產(chǎn)能規(guī)劃將持續(xù)擴(kuò)展，尤其是在先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)⒓哟笸度搿?/p>

目前，聯(lián)電在新加坡已成功建立2.5D封裝產(chǎn)能，并掌握了晶圓對(duì)晶圓鍵合（Wafer-to-WaferBonding）技術(shù)，該技術(shù)在3DIC制造中起著至關(guān)重要的作用。此外，聯(lián)電在南科運(yùn)營的Fab12A廠自2002年開始量產(chǎn)，現(xiàn)已順利導(dǎo)入14nm制程，專注于高階定制化制造。未來，聯(lián)電將依據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展與整體戰(zhàn)略規(guī)劃，充分結(jié)合既有的晶圓對(duì)晶圓鍵合技術(shù)，持續(xù)在中國臺(tái)灣推進(jìn)更完整的先進(jìn)封裝解決方案。

針對(duì)未來擴(kuò)產(chǎn)方向，劉啟東指出，聯(lián)電將不再局限于傳統(tǒng)晶圓代工，也將跨足先進(jìn)封裝等高附加價(jià)值領(lǐng)域。目前公司在新加坡已建置2.5D封裝制程，并具備晶圓對(duì)晶圓鍵合（WafertoWaferBonding）技術(shù)，這是一項(xiàng)可在原子級(jí)層面進(jìn)行晶圓堆疊的關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于3DIC制造。聯(lián)電在中國臺(tái)灣的產(chǎn)線，也已具備該制程能力。

而就在去年，聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾表示，聯(lián)電的3DIC解決方案已獲得客戶采用，首個(gè)應(yīng)用為射頻前端模組。聯(lián)電不僅在RFSOI特殊制程方面有望實(shí)現(xiàn)市占率的顯著增長，還會(huì)在內(nèi)嵌式高壓制程領(lǐng)域持續(xù)開拓客戶資源。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，聯(lián)電除了提供2.5D封裝用的中間層（Interposer），還供應(yīng)WoWHybridbonding（混合鍵和）技術(shù)，首個(gè)采用該技術(shù)的案件來自其采用自家RFSOI制程的既有客戶。

去年12月，有消息稱，聯(lián)電奪得高通高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品的先進(jìn)封裝大單，預(yù)計(jì)將應(yīng)用在AIPC、車用以及AI服務(wù)器市場(chǎng)，甚至包括HBM的整合。同時(shí)，這也打破了先進(jìn)封裝代工市場(chǎng)由臺(tái)積電、英特爾、三星等少數(shù)廠商壟斷的態(tài)勢(shì)。聯(lián)電未對(duì)單一客戶做出回應(yīng)，但強(qiáng)調(diào)先進(jìn)封裝是公司重點(diǎn)發(fā)展的方向，并會(huì)與智原、矽統(tǒng)等子公司及存儲(chǔ)供應(yīng)伙伴華邦共同打造先進(jìn)封裝生態(tài)系統(tǒng)。

04

三星：SAINT技術(shù)構(gòu)建3D封裝新體系

三星在先進(jìn)封裝領(lǐng)域同樣不甘落后，推出了SAINT（三星先進(jìn)互連技術(shù)）。SAINT技術(shù)體系涵蓋三種不同的3D堆疊技術(shù)：用于SRAM的SAINT-S、用于邏輯的SAINT-L和用于在CPU或GPU等邏輯芯片之上堆疊DRAM的SAINT-D。三星的新型3D封裝方法別具一格，涉及將HBM芯片垂直堆疊在處理器頂部，這與現(xiàn)有的通過硅中介層水平連接HBM芯片和GPU的2.5D技術(shù)截然不同。這種垂直堆疊方法成功消除了對(duì)硅中介層的需求，但需要使用復(fù)雜的工藝技術(shù)制造用于HBM內(nèi)存的新基片。

在韓國國內(nèi)市場(chǎng)，三星積極擴(kuò)充封裝設(shè)施。三星與忠清南道此前及天安市簽訂協(xié)議，計(jì)劃在天安建設(shè)一座先進(jìn)的HBM封裝工廠，占地28萬平方米，并預(yù)計(jì)在2027年完成。此外，三星正在日本橫濱建設(shè)AdvancedPackagingLab（APL），專注于研發(fā)下一代封裝技術(shù)。該項(xiàng)目將致力于支持高價(jià)值芯片應(yīng)用，如HBM、人工智能（AI）和5G技術(shù)。

05

AI和HBM推動(dòng)先進(jìn)封裝方案進(jìn)步

不難發(fā)現(xiàn)，晶圓大廠的先進(jìn)封裝方案大多聚焦于HBM內(nèi)存堆疊。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求呈爆發(fā)式增長。HBM能夠提供極高的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬，滿足AI芯片在處理海量數(shù)據(jù)時(shí)對(duì)內(nèi)存性能的嚴(yán)苛要求。先進(jìn)封裝技術(shù)通過將HBM芯片與處理器芯片進(jìn)行高效集成，能夠顯著提升芯片系統(tǒng)的整體性能和能效比。特別是HBM4的封裝方式正在從傳統(tǒng)的水平2.5D方法轉(zhuǎn)向垂直3D堆疊。

以臺(tái)積電為例，其先進(jìn)封裝技術(shù)如CoWoS、CoPoS等，為HBM內(nèi)存與處理器的集成提供了可靠的解決方案。通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)和互連技術(shù)，臺(tái)積電能夠?qū)崿F(xiàn)HBM與處理器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸，降低傳輸延遲，從而提高AI芯片的運(yùn)算效率。英特爾的EMIB-T技術(shù)以及三星的SAINT技術(shù)，同樣在HBM內(nèi)存堆疊和集成方面具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，能夠更好地支持高性能內(nèi)存，提升芯片間的通信帶寬和穩(wěn)定性。

從市場(chǎng)需求來看，人工智能應(yīng)用的快速發(fā)展，如深度學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析、自然語言處理等，對(duì)計(jì)算能力和內(nèi)存帶寬提出了前所未有的要求。AI芯片作為這些應(yīng)用的核心驅(qū)動(dòng)力，需要借助先進(jìn)封裝技術(shù)將HBM內(nèi)存與處理器緊密集成，以實(shí)現(xiàn)更高的性能和更低的功耗。因此，各大晶圓大廠紛紛圍繞HBM內(nèi)存堆疊布局先進(jìn)封裝方案，旨在滿足AI市場(chǎng)的巨大需求，搶占人工智能時(shí)代半導(dǎo)體市場(chǎng)的制高點(diǎn)。

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2006年南京母親養(yǎng)鹿救子,3年后用鹿血讓患絕癥的兒子重新站起來

醫(yī)生對(duì)夏季進(jìn)行了身體全面檢查，最后診斷：夏季患的是強(qiáng)直性脊椎炎|_。什么是強(qiáng)直性脊椎炎？蔣玉蓮還是頭一回聽說過這種病。醫(yī)生見她迷惑不解，解釋道：“強(qiáng)直性脊椎炎也稱“AS”，其特點(diǎn)是腰、頸、胸段脊椎關(guān)節(jié)和韌帶以及骶骼關(guān)節(jié)的軟骨和骨化，很多病人會(huì)在一二年內(nèi)徹底癱瘓_。由于這種疾病，發(fā)病原因不明，治愈概率到此結(jié)束了？。
AI體檢報(bào)告解析精準(zhǔn)率可以達(dá)到98%，以前的流程是體檢完以后，客戶上傳一個(gè)體檢報(bào)告需要人工看，發(fā)現(xiàn)異常，并且給出異常的診斷，再幫他去做一些解讀服務(wù)，基本上是要等3天的|_。現(xiàn)在上傳到好醫(yī)生平臺(tái)，秒級(jí)出來解析報(bào)告，精度比人高，以前靠人解讀還不一定有98%的準(zhǔn)確率——-。在咨詢、診斷的準(zhǔn)確率都超過95%，紅線率都是到此結(jié)束了？——-。

孩子也會(huì)得“風(fēng)濕性關(guān)節(jié)炎”,哪些癥狀需警惕??？澎湃新聞

最后至我院風(fēng)濕科門診就診，并住院做了一系列相關(guān)檢查后，最后確診：幼年特發(fā)性關(guān)節(jié)炎（與附著點(diǎn)炎癥相關(guān)性關(guān)節(jié)炎）、虹膜睫狀體炎。小周是一個(gè)12歲的女孩子，她入院時(shí)持續(xù)高熱，還有全身紅色皮疹，伴癢感，雙側(cè)踝關(guān)節(jié)痛，肝腫大，完善各項(xiàng)檢查，排除感染、血液系統(tǒng)腫瘤、其他自身免疫性疾病，最后診斷：幼年特發(fā)性等我繼續(xù)說__。
最后診斷：右手部分脫落，手掌骨頭多處骨折，有兩根手指也因?yàn)閭麆?shì)太嚴(yán)重必須得截肢，而想回復(fù)有手基本功能，必須做手術(shù)，而且還需要先恢復(fù)一下。面對(duì)這樣的情況，家長找到學(xué)校，學(xué)校說學(xué)生是在上班期間受的傷，算是工傷，這樣的結(jié)果曉晨表示很不滿意，不接受學(xué)校的結(jié)果，目前這件事情還在發(fā)展當(dāng)中。筆者認(rèn)為，這件事有幫助請(qǐng)點(diǎn)贊。

張華強(qiáng)口述歷史——同時(shí)享有中西醫(yī)服務(wù) 幸運(yùn)而幸福

醫(yī)院也很重視，神經(jīng)內(nèi)科、傳染科、心臟科的幾個(gè)主任都來了，最后診斷結(jié)果是皰疹病毒引起的散發(fā)性腦炎_——。通過搶救以后，暫時(shí)生命體征維持住了，但是病人還是很不好，出現(xiàn)了所謂中醫(yī)的危象_——。什么是中醫(yī)的危象呢？一個(gè)叫撮空理線，就是病人處于昏迷狀態(tài)，手無意識(shí)的這么亂動(dòng)，象拿東西一樣-。還有一個(gè)叫循衣摸床，病人等會(huì)說。
烤面包的香氣飄過來，性急的人最后切一塊黃油，由著面包碎屑粘在上面。窗外的陽光軟綿綿的，同時(shí)又精密細(xì)致，似乎將每一棵樹上的每一片葉子都仔仔細(xì)細(xì)分割了開來-。她躺在一張四柱大床上，面色蒼白，兩頰深陷，雙目因疼痛而緊閉著，每一次呼吸都發(fā)出嘶嘶的響聲，呼氣尤甚。醫(yī)生站著觀察她，要來了滿滿一杯溫水和說完了-。

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