新款UFS4.1閃存采用了鎧俠BiCS8FLASH3D閃存芯片，結(jié)合開創(chuàng)性的CBA技術(shù)，集成在JEDEC標準封裝中。

鎧俠宣布開始出樣UFS4.1閃存，提供了256GB、512GB和1TB容量，支持主機啟動的碎片整理和寫入緩沖區(qū)大小調(diào)整等先進特性。新產(chǎn)品專為滿足下一代移動應(yīng)用的需求而設(shè)計，包括具備設(shè)備內(nèi)置AI的高級智能手機，采用了小型BGA封裝，可提供更高的性能和更高的能效。

新款UFS4.1閃存采用了鎧俠BiCS8FLASH3D閃存芯片，結(jié)合開創(chuàng)性的CBA（CMOSdirectlyBondedtoArray）技術(shù)，提供了突破性的性能、效率和容量，集成在JEDEC標準封裝中。

主要功能包括：

提供了256GB、512GB和1TB容量可選。

相比上一代產(chǎn)品，512GB和1TB的隨機寫入性能提升了約30%，隨機讀取性能分別提升了約45%和35%。

相比上一代產(chǎn)品，在能效方面512GB和1TB的讀取速度提升了約15%，讀取速度提升了約20%。

主機啟動碎片整理支持延遲垃圾收集，以便在關(guān)鍵時刻實現(xiàn)不間斷的快速性能。

WriteBooster緩沖區(qū)大小調(diào)整為最佳性能，提供了更好的靈活性。

支持UFSVer.4.1標準。

與上一代產(chǎn)品相比，1TB型號的封裝高度降低。

使用鎧俠BiCS8FLASH3D閃存芯片。

鎧俠表示，新款UFS4.1閃存融合了速度和低功耗，旨在增強用戶體驗，即實現(xiàn)更快的下載和更強的性能。

SK海力士的UFS4.1

今年5月，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1TbTLC4DNAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS4.1。該產(chǎn)品具備全球領(lǐng)先的順序讀取性能與低功耗特性，專為端側(cè)AI進行優(yōu)化；產(chǎn)品厚度減薄15%，適用于超薄旗艦智能手機。

新品較上一代基于238層NAND閃存的產(chǎn)品能效提升了7%。同時，成功產(chǎn)品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。支持第四代UFS產(chǎn)品的順序讀取峰值，數(shù)據(jù)傳輸速率高達4300MB/s。決定移動設(shè)備多任務(wù)處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產(chǎn)品分別提升了15%與40%，達到現(xiàn)存UFS4.1產(chǎn)品中全球領(lǐng)先水平。

該產(chǎn)品提供512GB（千兆字節(jié)）和1TB（太字節(jié)）兩種容量規(guī)格。公司計劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產(chǎn)階段。

SK海力士表示：“為了在移動設(shè)備上實現(xiàn)端側(cè)（On-device）AI的穩(wěn)定運行，所搭載的NAND閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負載優(yōu)化的UFS4.1產(chǎn)品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位?！?/p>

存儲新標準UFS4.1

今年年初，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會推出通用閃存標準UFS4.1（JESD220G），同時發(fā)布了配套的JESD223FUFS主機控制器接口（UFSHCI）4.1標準更新。

據(jù)介紹，UFS4.1采用MIPIAlliance的M-PHY5.0和UniPro2.0規(guī)范，實現(xiàn)UFS接口帶寬翻倍，理論讀寫速度最高可達約4.2GB/s。UFS4.1專為需要高性能和低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而開發(fā)，與早期版本的標準相比，不僅可以提供更快的數(shù)據(jù)訪問速度和更高的性能，同時保持了與UFS4.0的硬件兼容性。

UFS4.1和UFSHCI4.1相對于先前版本進行了多方面的改進，例如FS4.1引入了更高效的內(nèi)存管理和新功能來提高系統(tǒng)吞吐量，并通過使用RPMB認證以防止未經(jīng)授權(quán)的數(shù)據(jù)訪問；此外，UFS4.1還提高了存儲邏輯單元的精度，為QLCNAND的實現(xiàn)奠定了基礎(chǔ)。

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