在芯片的全套生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,主要分為設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)這么三個(gè)重要環(huán)節(jié)。
當(dāng)然相對(duì)而言,芯片設(shè)計(jì)、制造這兩項(xiàng)是門檻高一點(diǎn),附加價(jià)值也會(huì)高一點(diǎn),而芯片封測(cè)在大家的心目中,是附加值最低的一個(gè)環(huán)節(jié),也是門檻最低,難度最小的環(huán)節(jié)。
再加上前10大芯片封測(cè)企業(yè)中,中國其實(shí)有4大企業(yè)上榜,并且分別位列全球第3、4、6、7名,合計(jì)份額接近30%,所以很多人有一個(gè)觀點(diǎn),那就是中國芯片封測(cè)水平,其實(shí)是全球頂尖的,并不落后。
但是近日,中國工程院院士孫凝暉指出,我國先進(jìn)封裝技術(shù)落后國際2-6年。
這句話一說出來,很多人不相信,覺得這位院士是不是不了解實(shí)情,在亂說了。畢竟目前國內(nèi)的芯片封測(cè)企業(yè),其實(shí)已經(jīng)能夠封測(cè)3nm芯片,似乎和國際頂尖的芯片制造水平是一致的,連高通、英特爾、AMD等企業(yè)的芯片,都交給中國封測(cè)企業(yè)封測(cè),怎么會(huì)落后這么多呢?
事實(shí)上,實(shí)際情況還真的就是如此。
先進(jìn)的芯片封裝技術(shù),并不是指你能封測(cè)3nm或2nm芯片,真正的難點(diǎn)并不是以XX納米來計(jì)算的,而是一些封裝的技術(shù)。
比如臺(tái)積電的CoWos、CoPoS封裝,以及英特爾的EMIB-T,從行業(yè)來看,目前整個(gè)封裝是從2.5D過渡到3D的,這些封裝技術(shù)在復(fù)雜的芯片中,運(yùn)用越來越多的。
比如英偉達(dá)的AI芯片,全部使用臺(tái)積電的CoWos封裝技術(shù),而中國封測(cè)企業(yè)就沒有這個(gè)技術(shù)。
從整個(gè)市場(chǎng)來看,國內(nèi)封裝市場(chǎng)聚焦的都是一些相對(duì)低端的封裝上,在AI芯片、HPC、HBM等封裝上面,差距是很明顯的。
雖然這些年來,中國封測(cè)企業(yè)在技術(shù)、份額上不斷突破,但要縮小與全球頂尖水平的差距,還要在技術(shù)研發(fā)、設(shè)備突破、材料創(chuàng)新等方面發(fā)力才行的。
很明顯,芯片封測(cè)水平如何,并不是僅僅將2nm或3nm的裸芯片,加上外殼,引腳這么簡單就能夠證明你行不行的。
目前摩爾定律在慢慢失效,越來越多的芯片,已經(jīng)走向了立體結(jié)構(gòu),以及將多顆芯片封裝到一起,比如HBM、CPU、GPU、NPU等芯片封裝到一起的多功能芯片。
而這種復(fù)雜的、多結(jié)構(gòu)的、以及立體結(jié)構(gòu)的芯片,最后的難點(diǎn)就是各種先進(jìn)封裝技術(shù)。
所以大家別低估了芯片封裝這一塊,別以為我們只在芯片制造上落后于全球頂尖水平,事實(shí)上在封裝上也是有差距的,還有很大的提升空間。
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