消息稱： LG 啟動混合鍵合機開發(fā) (追逐未來) HBM!! 內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)
千龍網(wǎng) 發(fā)布時間：2025-08-02 09:15:32
IT之家7月13日消息，韓媒SEDaily今日報道稱，LG電子下屬的生產(chǎn)技術(shù)研究所(PTI)已啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)，目標在2028年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
混合鍵合未來將毫無疑問地成為16+層堆疊HBM內(nèi)存堆棧構(gòu)建的關(guān)鍵技術(shù)，其采用無凸塊的銅-銅鍵合，縮小各層DRAMDie間距，能在有限的高度內(nèi)實現(xiàn)更高層數(shù)堆疊，且具備更低發(fā)熱。
目前在HBM內(nèi)存混合鍵合機臺開發(fā)方面，Besi和應(yīng)用材料處于領(lǐng)先地位，而韓國兩大內(nèi)存企業(yè)SK海力士和三星電子有實現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)本地化的需求，LG電子有望在這部分市場分得一杯羹。
另一方面，LG電子已定下強化AI與B2B業(yè)務(wù)的愿景，混合鍵合設(shè)備同時符合這兩大目標。
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(原標題：消息稱 LG 啟動混合鍵合機開發(fā), 追逐未來 HBM 內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù))
來源：千龍網(wǎng) 作者：連家瑩 編輯：周勇映
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