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聯(lián)電先進封裝中介層獲得高通驗證，接近量產(chǎn)出貨。

據(jù)報道，聯(lián)電跨界先進封裝迎來重大進展，自行研發(fā)的高階中介層（Interposer）已獲得高通驗證，進入量產(chǎn)出貨倒計時階段。

供應(yīng)鏈消息透露，聯(lián)電第一批中介層1500電容已通過高通的電性測試，已經(jīng)開始試產(chǎn)，預(yù)計2026年首季有機會量產(chǎn)出貨。此外，高通還采購了爐管機臺放在聯(lián)電廠房。業(yè)界分析，此次聯(lián)電通過高通認證的產(chǎn)品主要適配高通的IC和存儲器所需要的電容規(guī)格。

據(jù)了解，聯(lián)華電子的先進封裝依靠光刻工具創(chuàng)建具有超精密硅通孔（TSV）的中介層，從而在2.5D和3D設(shè)計中實現(xiàn)堆疊芯片之間的通信。由于聯(lián)華電子十年前就已經(jīng)將硅通孔技術(shù)應(yīng)用于AMD的GPU訂單，早期的經(jīng)驗幫助其獲得高通的信任。

聯(lián)華電子與高通從2024年末開始展開合作，開發(fā)用于高性能計算的先進封裝。目標(biāo)市場包括AIPC、汽車芯片、以及快速增長的AI服務(wù)器等市場。過去聯(lián)華電子在先進封裝領(lǐng)域的作用很有限，對收入的影響也很小，現(xiàn)在隨著高通下單，有望迎來新的增長點，緩解因成熟制程節(jié)點競爭加劇產(chǎn)生的巨大壓力。

目前，聯(lián)電在新加坡已建立2.5D封裝產(chǎn)能，并具備晶圓對晶圓鍵合技術(shù)。在中國臺灣南科Fab12A廠導(dǎo)入14nm制程，支持高階定制化制造，并計劃結(jié)合既有技術(shù)推進更完整的封裝解決方案。2025年，聯(lián)電計劃將先進封裝產(chǎn)能向中國臺灣地區(qū)擴展，尤其是混合鍵合和3DIC異質(zhì)整合技術(shù)。此外，還有消息稱聯(lián)電正在洽談收購其Fab12A工廠對面的瀚宇彩晶廠房。

對此，聯(lián)電表示不評論特定客戶，但強調(diào)先進封裝是公司積極發(fā)展的重點，將攜手智原、矽統(tǒng)科技以及華邦電等合作伙伴，聯(lián)合打造先進封裝生態(tài)體系。

聯(lián)電重點發(fā)力先進封裝

根據(jù)聯(lián)電2025年第一季度財報顯示，該季度合并營收為578.59億新臺幣，同比增長5.91%，但凈利潤同比減少25.76%至77.43億新臺幣。毛利率為26.7%，較去年同期的29.4%有所下滑，主要受產(chǎn)能利用率下降、折舊增加及成熟制程價格競爭影響。

其中，通信、消費電子和計算機應(yīng)用仍是主要收入來源，分別占比39%、29%和13%。盡管AI服務(wù)器和車用電子需求增長，但聯(lián)電在先進制程的收入占比仍較低，且先進封裝業(yè)務(wù)尚未形成規(guī)模貢獻。

2024年聯(lián)電研發(fā)投入達新臺幣156億元，重點支持先進封裝和特殊制程開發(fā)。2025年第一季度研發(fā)費用未單獨披露，但聯(lián)電表示將持續(xù)投入混合鍵合和3DIC技術(shù)，目標(biāo)在2026年實現(xiàn)量產(chǎn)突破。資本支出方面，2025年預(yù)計低于2024年的32.98億美元，主要用于新加坡Fab12i廠擴建（22/28nm產(chǎn)能）和中國臺灣地區(qū)先進封裝產(chǎn)線建設(shè)。

聯(lián)電董事長洪嘉聰表示，將持續(xù)優(yōu)化特殊制程（如12FFC）和先進封裝技術(shù)，目標(biāo)在2025年后將長期毛利率提升至30%-40%。同時，公司計劃通過整合晶圓代工與封裝服務(wù)，打造完整的系統(tǒng)級解決方案，以應(yīng)對市場變化和競爭。

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