時刻新聞
臺芮美
本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自pcwatch
規(guī)模完全是另一個層次。
臺積電正積極研發(fā)先進封裝技術晶圓系統(tǒng)（SoW），將超大規(guī)模、超高速系統(tǒng)集成在直徑300毫米的大尺寸硅晶圓或相同直徑的圓盤狀載體（支撐體）上。
SoW通過將多個硅片或微型模塊以二維矩陣排列，兼具超大規(guī)模、超高速的運算能力、高速、高密度的數(shù)據(jù)傳輸，以及降低功耗。
InFO技術應用于低成本、高性能大封裝
SoW技術的起源，在于臺積電針對移動處理器所研發(fā)的小型化、薄型化封裝技術InFO（IntegratedFan-Out），俗稱FO-WLP（FanOut-WaferLevelPackage）。
2020年前后，臺積電為高性能大規(guī)模邏輯（FPGA、GPU等）提供了CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術，該技術利用硅中間基板（Siinterposer）實現(xiàn)硅片（水平排列的芯片）之間的高密度連接。與此同時，臺積電還準備并量產(chǎn)了InFO_oS（晶圓上芯片）封裝技術，該技術利用InFO技術實現(xiàn)硅片之間的高密度連接，作為高性能大規(guī)模邏輯的低成本封裝。
InFO_oS的優(yōu)勢在于尺寸擴展相對容易，并且通過為封裝基板選擇InFO的RDL，可以制作超多層布線板。2018年開始量產(chǎn)尺寸為光罩尺寸1.5倍的InFO_oS。
InFO_SoW是將InFO_oS的基板尺寸（RDL尺寸）擴展至直徑300毫米的硅晶圓尺寸。InFO的精細高密度再分布層(RDL)擴展至晶圓尺寸，并將眾多硅芯片面朝下（硅芯片的電路面朝向RDL）放置在RDL上。將電源模塊和包含輸入/輸出IC的連接器安裝在放置硅芯片的RDL背面，即可形成系統(tǒng)模塊。
人工智能硬件開發(fā)商CerebrasSystems（以下簡稱Cerebras）已將InFO_SoW技術應用于其深度學習加速器WSE（晶圓級引擎）。WSE技術概述于2019年8月舉行的高性能處理器技術國際會議HotChips上發(fā)布，并在高性能處理器開發(fā)界引起了轟動。該公司還于2019年8月19日在新聞稿中正式宣布了WSE的開發(fā)。
InFO_SoW技術和WSE技術并不完全相同。最大的區(qū)別在于它們處理硅片的方式。InFO_SoW技術假設芯片為小芯片，將許多使用不同制造技術制造的微型芯片（已確認良好的微型芯片）安裝在晶圓大小的RDL上。而WSE技術則在直徑為300毫米的硅晶圓上一次性制造84個微型芯片。這84個微型芯片通過劃線連接，整體形狀呈方形。
在AI處理器核心級對所有微型芯片進行測試后，會在微型芯片表面形成連接微型芯片之間以及處理器核心之間的布線（將成為RDL的一部分）。這種布線至關重要。測試中被判定為有缺陷的核心將被移除，并替換為冗余核心（在測試中被判定為良好）。換句話說，預計在測試后才能確定RDL中微型芯片表面?zhèn)鹊牟季€布局。
這只是猜測，但他們可能會制作一塊略大于微型芯片組的方形RDL板，或者將預制的RDL板連接到微型芯片組上。RDL板的尺寸為215毫米見方，其外接圓直徑為304毫米，略大于300毫米晶圓。Cerebras發(fā)布的WSE照片包含RDL板，上面有許多通孔。這些通孔被認為是用來機械連接上下電源模塊、連接器和冷卻板的。
InFO_SoW在WSE的三代產(chǎn)品中繼續(xù)使用
Cerebras在2019年8月發(fā)布WSE之后，又于2021年4月發(fā)布了第二代晶圓級處理器WSE-2，并于2024年5月發(fā)布了第三代晶圓級處理器WSE-3。兩代產(chǎn)品均采用臺積電的InFO_SoW技術，WSE的尺寸（215平方毫米）和芯片數(shù)量（84個）保持不變。
最大的區(qū)別在于硅芯片的制造技術。第一代采用16nm工藝，對于2019年來說相當適中。2021年發(fā)布的第二代WSE-2將微型化提升到了一個新的水平，并采用了7nm工藝。2024年發(fā)布的第三代WSE-3選擇了5nm工藝，進一步實現(xiàn)了微型化。因此，第三代的晶體管數(shù)量增加到4萬億，是第一代1.2萬億的3.3倍多。
Cerebras三代WSE都采用了300mm晶圓InFO_SoW技術，這體現(xiàn)出直徑大于300mm的晶圓并不存在，目前終極的大規(guī)模電路模塊是InFO_SoW技術。
其基本性能是，與采用中間基板的多芯片模塊(MCM)相比，硅片間的布線寬度/間距減少一半，布線密度增加一倍，單位長度的數(shù)據(jù)傳輸率增加一倍。最大的區(qū)別在于電源阻抗，僅為MCM的1/33。這是因為，原則上，215毫米見方的RDL層的整個背面都可以在電源模塊中布局，而且由于電源布線是垂直（縱向）的，因此布線長度極短。低電源阻抗對穩(wěn)定電源電壓和降低功耗貢獻巨大。
臺積電還在開發(fā)下一代InFO_SoW技術，稱之為SoW-X(eXtreme)。臺積電最近還將之前開發(fā)的InFO_SoW技術更名為SoW-P。
SoW-P和SoW-X的區(qū)別在于，前者分布在同一處理器上，而后者分布在處理器（或SoC）和內存模塊上。
*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內容系其個人觀點，我方轉載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯(lián)系后臺。
想要獲取半導體產(chǎn)業(yè)的前沿洞見、技術速遞、趨勢解析，關注我們！
脂肪肝怎么治療才能徹底治愈?
抗病毒治療包括核苷（酸）類似物（NAs）單藥治療、聚乙二醇干擾素α-2b（PEG IFNα）單藥治療或二者聯(lián)合——。患者根據(jù)是否合并MASLD被分為兩組：CHB + MASLD組（n = 125）和單純CHB組（n = 195）。并根據(jù)受控衰減參數(shù)（CAP）進行脂肪變性分級：無脂肪變性（S0），CAP < 248 dB/m；輕度脂肪變性（S1），248 dB說完了。
糞菌移植治療脂肪肝,新方法讓42.9%的患者肝臟脂肪恢復正常
國醫(yī)大師朱良春有一個方子——降脂減肥湯，這個方子不但可以減肥，還能化解脂肪肝，并且對高血壓、高血脂都有相當不錯的效果——。話不多說，我們直接來看方子|。降脂減肥湯：澤瀉20克、制蒼術10克、炒薏米30克、冬瓜皮20克、冬瓜仁15克、黃芪15克、半夏5克、丹參15克、生山楂20克、仙靈脾18克、草決明15克、干荷葉6希望你能滿意。
脂肪肝治療3個月好了
1.非諾貝特。該藥被認為是最優(yōu)秀的第三代苯氧芳酸類制劑，最適用于糖尿病伴高脂血癥、脂肪肝患者。2.肝得健_-。肝得健可使脂肪細胞退化，脂肪細胞減少50%以上，改善肝內循環(huán)及微循環(huán)，是治療脂肪肝的有效藥物之一。3.必降脂。適用于高脂血癥--。肝膽疾病患者、嚴重腎功能障礙的患者禁用。治療脂肪肝的中成藥效果也是什么。
來源：紅網(wǎng)
作者：單玉
編輯：陳詩軒
本文為紅辣椒評論 原創(chuàng)文章，僅系作者個人觀點，不代表紅網(wǎng)立場。轉載請附原文出處鏈接和本聲明。