芯片金屬層之間的通孔VIA，英文全稱是什么？
A1
via就是全稱，本身就是一個(gè)英語(yǔ)單詞。
Q2
解完UV后，膜的粘度有幾十mN/25mm的，有幾百mN/25mm的，這種在選擇的時(shí)候有什么rule嗎？粘度到多少工廠才會(huì)難摘??？
A2
參考短邊diesize。
Q3
lowk制程(比如40nm)的芯片，大家有遇到過彈坑問題引起的早夭失效的案例嗎？
Al制程有遇到過彈坑問題導(dǎo)致的早夭失效，但是lowk制程的我自己目前沒有遇到過彈坑問題導(dǎo)致早夭失效的案例。
A3
Lowk失效風(fēng)險(xiǎn)更高，lowk機(jī)械強(qiáng)度弱，CTE也高，對(duì)機(jī)械和溫變應(yīng)力都更敏感。
Q4
芯片做完TC（-65~150度）500cycle后，有發(fā)現(xiàn)Bump和RDL側(cè)面輕微delamination，這種要按照J(rèn)EDEC的哪個(gè)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)判斷是可接受還是不可接受的？
A4
J-STD-020E標(biāo)準(zhǔn)中有對(duì)分層的判定標(biāo)準(zhǔn)，die區(qū)域是不能有分層的。
Q5
是否有遇到過QFN車規(guī)芯片有經(jīng)過三溫測(cè)試，出現(xiàn)Die裂的情況？
A5
三溫的順序，是否pass，在每種溫度下warpage的數(shù)據(jù)，pogopin有沒有卡住，都要考慮。
Q6
硅凝膠怎么去除？
A6
用專門的溶膠劑，溶膠劑也不貴。
Q7
晶圓從廠里出貨后，包裝原封不動(dòng)的話，可以自己保存嗎？自己暫存需要什么條件？
A7
氮?dú)夤?5左右溫度保存。
Q8
如下圖Decap后看到的裂紋可能是什么原因?qū)е碌模?/p>
A8
這種不是應(yīng)力造成的，去查sawing工藝，基本上是sawing的diamaflow出了問題，CO2bubble打少了，在sawing的過程中電荷沒有及時(shí)導(dǎo)出，局部放電導(dǎo)致的，可以隨便切一個(gè)位置看一下，topmetal會(huì)有靜電擊穿的現(xiàn)象，就像長(zhǎng)出了一根天線，而且passivation已經(jīng)碎了，可靠性肯定會(huì)有問題，不建議出貨。
Q9
現(xiàn)在PMIC這個(gè)賽道，CP/FT的生產(chǎn)測(cè)試都用的哪個(gè)測(cè)試平臺(tái)？
A9
要看這個(gè)PMIC的復(fù)雜程度，一般的8200能搞定，也可以看看ETS和8300。
Q10
芯片的射頻輸入口，在FT測(cè)試都很正常，貼片后被靜電損傷的很多，IV曲線正常，但是LNA的增益和對(duì)地阻抗下降很多，像是通過CDM模式放電損壞的，這個(gè)有什么辦法避免嗎
A10
這個(gè)不一定是靜電，如果是CDM的話，那就是加工過程中機(jī)臺(tái)接地不好，也要看一下焊錫材料，焊錫厚度這些是不是符合之前的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，有沒有生產(chǎn)波動(dòng)，一般來(lái)說批次性的問題，和生產(chǎn)品質(zhì)相關(guān)性比較大。
11
CSP封裝的芯片，想排查一下是否因應(yīng)力損壞X-ray能看出來(lái)嗎？
A11
不能，X-ray會(huì)直接穿透，建議利用3D-OM六面檢查。
Q12
IR是什么設(shè)備？
A12
紅外線，可以看隱裂，chip內(nèi)部crack&chipping。
Q13
AEC-Q100做HAST時(shí)，要求每個(gè)被測(cè)單體樣品都處于正常工作狀態(tài)嗎？我們有一款產(chǎn)品需要SPI通信發(fā)送喚醒指令才會(huì)正常輸出，否則就處于待機(jī)狀態(tài)，在待機(jī)狀態(tài)下可以做HAST嗎？
A13
喚醒指令后器件就不是屬于最低功耗狀態(tài)了，不需要喚醒。
Q14
為滿足以下需求，該如何確認(rèn)實(shí)驗(yàn)時(shí)長(zhǎng)？
滿足T_USE=85攝氏度，壽命10年的HTOL考核條件:
1.T_SRTESS=150度，
V_SRTESS=1.1*VCC工作電壓，
考核時(shí)長(zhǎng)>=？
2.T_SRTESS=125度，
V_SRTESS=1.1*VCC工作電壓，
考核時(shí)長(zhǎng)>=？
A14
Tuse最好有missionprofile，按照85度預(yù)估，150度stress時(shí)間就要2000hrs左右了。
Q15
我們一顆產(chǎn)品TC后pad全是分層，如下圖，正常嗎？
A15
這張CSCAN掃描看起來(lái)是diesurface正下方及周圍有脫層，可以發(fā)一下TSCAN進(jìn)行佐證，所以您這個(gè)應(yīng)該是背晶位置脫層了。由于您這個(gè)是做TC之后的樣品，明確指向溫度相關(guān)，故優(yōu)先確認(rèn)封裝的材料各膨脹系數(shù)關(guān)系。上圖diesurface/leadframe沒發(fā)現(xiàn)脫層，所以排除由外而內(nèi)的應(yīng)力或脫層。
Q16
BHAST3批是按照三個(gè)wafer批次來(lái)做還是三個(gè)封裝批次？
A16
驗(yàn)封裝的，wafer批次/封裝批次不關(guān)鍵，你隔一周release一批最好。
Q17
QFN做完BHAST（130℃/85%RH，96hr）后失效，EDX發(fā)現(xiàn)背面lead間EMC表面有大量Sn（＞20%）和Cu（>4%）的成分（圖上點(diǎn)狀物），想問下這可能是電遷移嗎？什么情況才會(huì)造成這樣的現(xiàn)象？
A17
吸氧腐蝕的可能性比較大，鍍層應(yīng)該可以看到腐蝕掉了（薄了），有一種可能是做完P(guān)recon以后要做SAT如果是放在Tray盤里做SAT的且拿出來(lái)以后水沒有吹干，則會(huì)在鍍層表面形成一層水膜，這時(shí)候就會(huì)發(fā)生吸氧反應(yīng)。
Q18
車規(guī)QFN產(chǎn)品pinpitch最小有要求0.5mm嗎，有什么文件定義嗎？
A18
行業(yè)不會(huì)有這個(gè)定義，要么也是你的客戶公司有此內(nèi)部規(guī)則。
Q19
晶圓從廠里出貨后，包裝原封不動(dòng)的話，可以自己保存嗎？自己暫存需要什么條件？
A19
氮?dú)夤?5左右溫度保存。
Q20
Cornerwafer的ESD，LU還需要單獨(dú)評(píng)估嗎？
A20
沒這個(gè)要求，除非設(shè)計(jì)師希望收集這數(shù)據(jù)做比對(duì)。
Q21
HBM實(shí)驗(yàn)會(huì)影響FT的SCAN測(cè)試嗎？
A21
有可能會(huì)有影響的，畢竟HBM是一個(gè)破壞性實(shí)驗(yàn)。
Q22
關(guān)于HTOL的壽命換算要根據(jù)poweron時(shí)間和missionprofile，這兩個(gè)有更具體的定義嗎？
A22
這兩項(xiàng)都是根據(jù)終端應(yīng)用場(chǎng)景定義的。
Q23
消費(fèi)級(jí)芯片工作溫度0-70℃，是哪個(gè)JEDEC文件定義的，為什么不能0°以下工作？
A23
芯片設(shè)計(jì)就是匹配0°以上使用場(chǎng)景的。
Q24
FPGA產(chǎn)品一定要做SER嗎？如果做SER，放射源推薦什么？Alpha源還是X-ray類高能光束？
A24
內(nèi)部有memory一般才需要SER，SER放射源看場(chǎng)景，一般推薦中子源和阿爾法源。
Q25
PBO也是類似PI的passivation材料嗎？
A25
應(yīng)用領(lǐng)域差不多，類似于低溫PI，目前也就WPR系列封裝有在用。
Q26
BGA從板子上拆下來(lái)之后，錫球焊接不上，要怎么修復(fù)？確定焊盤沒有損壞，可能需要清洗，如果需要清洗的話，一般怎么個(gè)清洗流程？
A26
用1%稀硫酸+超聲波洗一下試試，大概十幾秒到半分鐘。
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