祝慧君
在減少排放和實(shí)現(xiàn)凈零目標(biāo)的道路上,碳化硅(SiC)技術(shù)將發(fā)揮關(guān)鍵作用。許多應(yīng)用可以通過(guò)在系統(tǒng)中添加電力電子器件(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器)或增強(qiáng)現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。
隨著越來(lái)越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng),對(duì)電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本也越來(lái)越高,因此設(shè)計(jì)人員正在采取更強(qiáng)大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對(duì)于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案(例如電子熔絲)可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量,從而可以防止負(fù)載自身?yè)p壞。
傳統(tǒng)電路保護(hù)裝置的局限性
傳統(tǒng)熔絲是一次性元件,在清除故障后需要更換。因此,熔絲規(guī)定僅在持續(xù)高電流下熔斷。這可以保護(hù)系統(tǒng)中的線路,但無(wú)法保護(hù)敏感負(fù)載,并可能導(dǎo)致系統(tǒng)級(jí)停機(jī)。
此外,熔絲會(huì)隨著時(shí)間的推移而老化,從而嚴(yán)重影響其性能,例如,熔絲會(huì)變得更加敏感,這會(huì)增加誤跳閘的風(fēng)險(xiǎn);或者變得不那么敏感,需要更高的電流才能跳閘。
由于熔絲是可更換元件,因此在帶有熔絲的系統(tǒng)中,可維護(hù)性設(shè)計(jì)至關(guān)重要。從維護(hù)的角度來(lái)看,熔絲的可維護(hù)性至關(guān)重要,但這會(huì)對(duì)系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性產(chǎn)生不利影響。
受保護(hù)電路和熔絲盒之間需要熔絲、熔絲座和額外的線路。熔絲盒通常包含面板、緊固件和用于環(huán)境保護(hù)的墊圈。在高壓系統(tǒng)中,通常會(huì)采用聯(lián)鎖回路,以便在熔絲面板打開(kāi)時(shí)切斷系統(tǒng)電源。這些額外的可維護(hù)組件各自都存在故障風(fēng)險(xiǎn),從而進(jìn)一步縮短了熔絲的使用壽命。此外,在高壓系統(tǒng)中,只有經(jīng)過(guò)培訓(xùn)的合格人員才能更換熔絲。
類似地,繼電器或接觸器控制負(fù)載的供電。即使在高電流下,繼電器觸點(diǎn)上的壓降也很小,但在切換到容性負(fù)載和中斷感性電流時(shí),繼電器觸點(diǎn)的性能會(huì)下降。通常使用由繼電器和浪涌電阻組成的預(yù)充電電路將下游電容器充電至系統(tǒng)電壓的20V以內(nèi),這可以防止繼電器或接觸器觸點(diǎn)在激活時(shí)熔接,并潤(rùn)濕觸點(diǎn),最大限度地減少氧化,否則氧化會(huì)導(dǎo)致更高的電阻和功耗。
盡管如此,觸點(diǎn)在每次激活時(shí)仍然會(huì)導(dǎo)致性能下降,這是縮短其使用壽命的長(zhǎng)期磨損機(jī)制之一。許多使用帶容性負(fù)載的接觸器或繼電器的直流配電系統(tǒng)在輸入和輸出端都包含高精度電壓測(cè)量電路,以確保滿足電壓差條件。電壓測(cè)量的誤差越大,觸點(diǎn)上的電位差就越大,性能會(huì)進(jìn)一步下降,最終縮短其使用壽命。
當(dāng)繼電器或接觸器斷開(kāi)時(shí),觸點(diǎn)會(huì)分離,在輸入和輸出電路之間形成氣隙。但這并不意味著它們沒(méi)有電連接。很多情況下,當(dāng)繼電器斷開(kāi)時(shí),電流會(huì)通過(guò)氣隙中的電弧繼續(xù)流動(dòng)一小段時(shí)間,這會(huì)進(jìn)一步降低觸點(diǎn)的性能。
高壓電子熔斷器的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)
熔絲的精度不高、一次性使用的限制以及繼電器和接觸器不夠堅(jiān)固耐用,這些都是設(shè)計(jì)師轉(zhuǎn)向電子熔絲(E-Fuse)等電子解決方案的原因。很多時(shí)候,可靠性目標(biāo)是主要原因。更高的精度、集成度、功能性、可復(fù)位性和系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間是E-Fuse的主要優(yōu)勢(shì)之一。然而,轉(zhuǎn)向E-Fuse的最主要驅(qū)動(dòng)力在于它能夠顯著提高系統(tǒng)可靠性。
E-Fuse是一種可控且可配置的固態(tài)電路中斷裝置。在400V和800V系統(tǒng)中,碳化硅(SiC)因其高擊穿電壓額定值、低導(dǎo)通電阻和高熱導(dǎo)率而成為最佳的功率半導(dǎo)體技術(shù)。
電子熔絲可以是單向半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),用于阻斷一個(gè)方向上的電壓和電流,也可以是雙向開(kāi)關(guān),用于阻斷兩個(gè)方向上的電壓和電流(例如,電源到負(fù)載和負(fù)載到電源)。電子熔絲結(jié)合了熔絲和機(jī)電繼電器的功能,并且可能包含負(fù)載電流報(bào)告等附加功能,從而無(wú)需在系統(tǒng)中使用獨(dú)立的電流傳感器。
SiC電子熔絲可實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)時(shí)間,將短路電流限制在僅幾百安培。借助寬帶寬電流檢測(cè)電路并使用默認(rèn)設(shè)置,可在700納秒內(nèi)檢測(cè)到短路,并在1至6微秒范圍內(nèi)清除故障(具體取決于系統(tǒng)電感)。圖1中時(shí)間-電流特性(TCC)曲線定義的跳閘行為可通過(guò)軟件或本地互連網(wǎng)絡(luò)(LIN)配置。
TCC曲線包含三種檢測(cè)方法:結(jié)溫估算、基于模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的電流采樣以及可通過(guò)軟件配置的硬件檢測(cè)電路。
圖1:TCC曲線
圖2中的檢測(cè)電路包括一個(gè)帶有開(kāi)爾文檢測(cè)連接的分流電阻器(用于提供精確的電壓測(cè)量)、一個(gè)具有高增益帶寬積的運(yùn)算放大器、一個(gè)具有可配置基準(zhǔn)的快速比較器以及一個(gè)置位-復(fù)位(SR)鎖存器,以實(shí)現(xiàn)快速短路檢測(cè)和保護(hù)。
圖2:過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)實(shí)施
對(duì)于不需要立即響應(yīng)的過(guò)載,電流檢測(cè)信號(hào)由單片機(jī)的ADC和固件處理。該設(shè)計(jì)包括兩種工作模式:邊沿觸發(fā)模式或穿越模式。
在邊沿觸發(fā)模式下,超過(guò)閾值的過(guò)流會(huì)觸發(fā)立即關(guān)斷。在穿越模式下,過(guò)流會(huì)立即將SiCMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)至較低電壓,以延長(zhǎng)其短路耐受時(shí)間。如果過(guò)流持續(xù)時(shí)間超過(guò)預(yù)定義的可配置持續(xù)時(shí)間,則SiCMOSFET將關(guān)閉,從而中斷電路。但是,如果電流降至閾值以下,MOSFET柵極將被驅(qū)動(dòng)回全柵極驅(qū)動(dòng)。
卓越的短路保護(hù)
圖3顯示了使用傳統(tǒng)30A和30AE-Fuse演示板進(jìn)行充電電容短路測(cè)試時(shí)的允通電流。為了證明快速響應(yīng)時(shí)間,E-Fuse在更惡劣的工作條件下進(jìn)行了測(cè)試,源電感降低了六倍,這導(dǎo)致電流斜坡比熔絲測(cè)試中的陡度高六倍。
即使在這種情況下,E-Fuse測(cè)試中的短路電流峰值仍僅為216A,而熔絲允許的峰值電流為3.6kA。E-Fuse的總故障清除時(shí)間為672ns,傳統(tǒng)熔絲的總故障清除時(shí)間為276μs。
除了快速的故障清除時(shí)間允許較低的短路允通(LT)電流之外,允通能量也比傳統(tǒng)熔絲低數(shù)百到數(shù)千倍。本次測(cè)試中,電子熔絲的允通能量為406mJ,而受熔絲保護(hù)的電路的允通能量?jī)H為85J。這種顯著的性能差異有望在采用電子熔絲保護(hù)的情況下,防止故障負(fù)載演變?yōu)橛补收稀?/p>
此外,在熔絲測(cè)試中,直流母線電容完全放電。然而,在受電子熔絲保護(hù)的電路中,450V直流母線電壓僅下降了2V,持續(xù)時(shí)間不到200ns。這是一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗试S系統(tǒng)繼續(xù)運(yùn)行,而無(wú)需擔(dān)心設(shè)備故障導(dǎo)致直流母線電壓驟降或下降。
在許多系統(tǒng)中,故障可能造成危險(xiǎn)或代價(jià)高昂的停機(jī),而電子熔絲可提供卓越的電路保護(hù)??偨Y(jié)測(cè)試結(jié)果,電子熔絲清除短路故障的速度提高了300倍,允通電流降低了16倍,允通能量降低了200倍,同時(shí)保持了直流母線的穩(wěn)定。
圖3:使用熔絲(頂部)和E-Fuse(底部)進(jìn)行短路測(cè)試
如上所述,基于SiC的電子熔絲(E-Fuse)具有多項(xiàng)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì),不僅比傳統(tǒng)解決方案更有效地保護(hù)線路和負(fù)載,還能簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及保護(hù)、控制和傳感的集成。
隨著萬(wàn)物電氣化對(duì)更高電壓、更高效率和更低開(kāi)關(guān)損耗的需求不斷增長(zhǎng),對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體的需求也將持續(xù)增長(zhǎng)。許多應(yīng)用中的電氣系統(tǒng)將受益于電子熔絲解決方案,因?yàn)樗丝删S護(hù)性設(shè)計(jì)的限制,并提高了系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間、可靠性和安全性。
END
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來(lái)源:紅網(wǎng)
作者:勇德惠
編輯:張志瑋
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