來源:參考消息網(wǎng)
參考消息網(wǎng)7月27日報道據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》網(wǎng)站7月25日報道,韓國正加速推進半導體制造設備國產(chǎn)化。LG電子已于7月宣布進軍在尖端半導體生產(chǎn)不可或缺的關鍵設備領域,設備巨頭韓美半導體也計劃于2026年啟用新工廠。目前,全球半導體設備市場由美歐日企業(yè)主導,韓國份額僅占2%。韓國正借助其優(yōu)勢領域——生成式人工智能(AI)半導體產(chǎn)品的需求增長,發(fā)力該領域特制化設備,以尋求突破。
LG將著手開發(fā)新一代“混合鍵合機”,這是連接半導體晶圓的關鍵設備“鍵合機”的升級產(chǎn)品。對于以家電和顯示器為主營業(yè)務的LG而言,其半導體設備業(yè)務此前基本停留在研發(fā)階段。據(jù)韓國媒體報道,該公司研究人員日前在首爾郊區(qū)一場半導體展會上宣布,計劃于2028年前完成“混合鍵合機”的研發(fā)。該報道還評價稱,LG有望成為“半導體設備市場的潛在黑馬”。
LG進軍半導體設備制造領域的一個重要契機,是高帶寬內存(HBM)市場在生成式AI浪潮下的持續(xù)擴張。HBM領域是韓國企業(yè)的強項,SK海力士和三星電子合計占據(jù)全球約90%的市場份額。法國約爾情報公司預測,到2030年,全球HBM銷售額有望達到約980億美元,約為2025年的3倍。
HBM需要通過垂直堆疊內存芯片來制造。在此過程中,用于連接這些芯片的設備正是混合鍵合機。在半導體制造流程中,這屬于晶圓刻蝕電路后的“后道工序”。隨著堆疊多芯片以提升性能的技術不斷發(fā)展,后道工序的重要性日益凸顯。相比東京電子等技術巨頭壟斷的“前道工序”,這一領域為韓國等后來者提供了趕超機會。
業(yè)內人士介紹,目前HBM制造主要采用“熱壓鍵合機”,通過加熱粘合劑實現(xiàn)連接。這與將普通芯片貼合到基板上的常規(guī)鍵合機不同,是專為HBM生產(chǎn)定制的設備。
HBM通過增加堆疊層數(shù)來提升數(shù)據(jù)容量和傳輸速度。然而,層數(shù)越多,芯片越密集,變形和發(fā)熱的風險也隨之增高?;旌湘I合機無需粘合劑即可實現(xiàn)接合,因此能制造出更薄、密度更高的半導體。
在熱壓鍵合機領域占據(jù)全球九成份額的韓美半導體,計劃投入約1000億韓元(約合7200萬美元),在仁川市新建混合鍵合機專用工廠,目標是在2026年投產(chǎn)。
韓美半導體擁有與HBM制造相關的120項專利,并正與韓國本土的半導體薄膜沉積(成膜)、清洗設備制造商開展合作。該公司明確表示:“要在2030年前躋身全球設備供應商前十。”
據(jù)業(yè)內人士透露,SK海力士和三星電子也計劃,為量產(chǎn)新一代HBM,于2026年至2027年在其半導體工廠全面引入混合鍵合機。
對韓國而言,半導體制造設備國產(chǎn)化是長期存在的課題。半導體制造涉及上千道工序,需要光刻、清洗等多種精密設備。該領域長期由美國應用材料、日本東京電子和荷蘭阿斯麥等國際巨頭主導供應。
日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省資料顯示,韓國在全球半導體設備市場的份額僅為2%。盡管在熱壓鍵合機等少數(shù)領域占據(jù)領先地位,但韓國距離實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈設備的全面國產(chǎn)化仍很遙遠。出于經(jīng)濟安全考量,韓國政府方面也在一直呼吁提升設備與材料的自給率,2020年起每年撥出約1萬億韓元預算用于相關研發(fā)。
韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會常務理事安基鉉(音)估計,韓國半導體制造商所使用的設備中,按金額計算的自產(chǎn)率僅約為20%。他表示:“在(結構相對簡單的)鍵合機領域,國產(chǎn)化可能會取得進展,但在其他工藝環(huán)節(jié),日美技術實力過于突出,難以追趕。短期內依賴海外采購的局面不會改變?!保ň幾g/沈紅輝)
少年楊帆得吞噬至寶,逆襲成無上圣脈,無敵宇宙血脈為尊
倍受好評的小說合集,《無敵血脈》穩(wěn)坐第一,入坑不虧
高分東方玄幻神文大賞,沉淀之作,作者封神
免責聲明:本文內容由開放的智能模型自動生成,僅供參考。