在半導體行業(yè)持續(xù)演進的進程中，先進封裝技術已一躍成為各大晶圓大廠激烈角逐的戰(zhàn)略要地。隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，傳統(tǒng)芯片制程微縮面臨重重挑戰(zhàn)，先進封裝憑借其能夠在不依賴制程工藝提升的前提下，實現(xiàn)芯片高密度集成、體積微型化以及成本降低等顯著優(yōu)勢，完美契合了高端芯片向更小尺寸、更高性能、更低功耗發(fā)展的趨勢，從而成為延續(xù)摩爾定律和超越摩爾定律的關鍵路徑。

值得注意的是，近年來，除了風頭頗盛的CoWoS外，CoPoS、EMIB-T等新的先進封裝技術又被提出，主要晶圓大廠紛紛加快腳步，在先進封裝領域積極開啟新一輪技術布局和競爭。

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臺積電：“化圓為方”引領封裝變革

臺積電作為半導體制造領域的領軍企業(yè)，在先進封裝技術方面始終走在行業(yè)前沿。其推出的CoPoS（Chip-on-Package-on-Substrate）技術，以“化圓為方”的創(chuàng)新性理念，徹底顛覆了傳統(tǒng)封裝模式。傳統(tǒng)的圓形晶圓在封裝過程中存在一定的局限性，而CoPoS技術直接將芯片排列在大型方形面板基板上進行封裝，這種設計堪稱對現(xiàn)有CoWoS-L或CoWoS-R技術的矩形化革新。

從技術層面深入剖析，CoPoS技術通過將傳統(tǒng)圓形晶圓改為310x310毫米方形設計，極大地提升了單位面積的利用率。經測算，這一改進預計可降低約15%-20%的制造成本，成本優(yōu)勢十分顯著。在產能布局方面，臺積電規(guī)劃在嘉義AP7廠區(qū)構建新一代先進封裝技術CoPoS的量產工廠，目標是在2028年底至2029年實現(xiàn)量產。嘉義AP7廠區(qū)的規(guī)劃充分彰顯了臺積電在先進封裝領域的系統(tǒng)性投入。該園區(qū)分階段建設8個產線單元，其中P4廠專門用于CoPoS量產，P2/P3廠則優(yōu)先支持SoIC（晶圓級3D堆疊）技術，P1廠為蘋果WMCM多芯片模組保留專屬產能。與傳統(tǒng)封裝重鎮(zhèn)南科AP8（主要聚焦CoWoS）相比，AP7廠區(qū)憑借更大的廠房空間以及更為完善的制程配套，將成為臺積電整合SoIC、CoPoS等前沿封裝技術的核心基地。

此外，臺積電被曝已在為2026年蘋果A20系列SoC（系統(tǒng)級芯片）的封裝，啟動了WMCM（Wafer-LevelMulti-ChipModule，晶圓級多芯片封裝）新工藝試生產準備工作。WMCM是一種在晶圓級將多顆芯片集成封裝的技術，能夠在保持高集成度的同時，顯著縮小封裝體積并提升信號傳輸效率。

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英特爾：EMIB-T技術的升級與拓展

英特爾在先進封裝領域同樣成果斐然，其推出的EMIB（EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge）技術，即嵌入式多芯片互聯(lián)橋，已經成功投入生產。該技術突破了光罩尺寸的限制，實現(xiàn)了多芯片之間的高速互聯(lián)。在需要高密度互連的芯片部位，通過將硅片嵌入基板，形成高密度互連橋，而其他區(qū)域則通過基板進行互連。在同一個封裝內，甚至在同一個芯片的不同區(qū)域，EMIB互連和常規(guī)互連能夠共存，臺積電的CoWoS-L技術在一定程度上便是借鑒了EMIB技術。

在此基礎上，英特爾進一步推出了EMIB-T先進封裝技術。EMIB-T通過引入硅通孔（TSV）技術，對芯片之間的電源傳輸和數(shù)據(jù)通信進行了優(yōu)化。與傳統(tǒng)的EMIB相比，它摒棄了懸臂式的供電方式，而是借助封裝底部的TSV直接供電，這一改進有效地降低了電阻，從而能夠更好地支持像HBM4和HBM4e這樣的高性能內存。同時，TSV技術還大幅增加了芯片間的通信帶寬，并且兼容UCIe-A互聯(lián)標準，數(shù)據(jù)傳輸速度超過32Gb/s。為了減少信號干擾，英特爾還在橋接器里加入了高功率的MIM電容器，確保信號傳輸更加穩(wěn)定可靠。

在2025IEEE電子器件技術大會（ECTC）上，英特爾分享了其封裝技術的最新進展。除了在供電穩(wěn)定性方面通過EMIB-T取得突破外，英特爾還計劃通過探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進工藝來提高封裝的良率和可靠性。隨著封裝尺寸不斷增大，集成多芯片的復雜程度也同步提升，熱壓鍵合技術的應用將有助于應對這一挑戰(zhàn)。此外，隨著封裝變得越來越復雜，尺寸不斷增大，熱設計功耗（TDP）也在持續(xù)增加。為有效解決散熱難題，英特爾正在研發(fā)全新的分解式散熱器技術，以及新一代熱界面材料。這些創(chuàng)新技術能夠更高效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的各個部分，進而顯著提升整體的散熱效率，為高性能芯片的穩(wěn)定運行提供堅實保障。

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聯(lián)電：加碼W2W3DIC先進封裝

晶圓代工大廠聯(lián)電在先進封裝領域也展現(xiàn)出積極進取的姿態(tài)。近期，聯(lián)電正考慮在南科收購瀚宇彩晶廠房，以大力推動其先進封裝技術的發(fā)展。盡管聯(lián)電對市場傳言未作出直接回應，但公司高層明確表示，未來在中國臺灣地區(qū)的產能規(guī)劃將持續(xù)擴展，尤其是在先進封裝領域將加大投入。

目前，聯(lián)電在新加坡已成功建立2.5D封裝產能，并掌握了晶圓對晶圓鍵合（Wafer-to-WaferBonding）技術，該技術在3DIC制造中起著至關重要的作用。此外，聯(lián)電在南科運營的Fab12A廠自2002年開始量產，現(xiàn)已順利導入14nm制程，專注于高階定制化制造。未來，聯(lián)電將依據(jù)業(yè)務發(fā)展與整體戰(zhàn)略規(guī)劃，充分結合既有的晶圓對晶圓鍵合技術，持續(xù)在中國臺灣推進更完整的先進封裝解決方案。

針對未來擴產方向，劉啟東指出，聯(lián)電將不再局限于傳統(tǒng)晶圓代工，也將跨足先進封裝等高附加價值領域。目前公司在新加坡已建置2.5D封裝制程，并具備晶圓對晶圓鍵合（WafertoWaferBonding）技術，這是一項可在原子級層面進行晶圓堆疊的關鍵工藝，廣泛應用于3DIC制造。聯(lián)電在中國臺灣的產線，也已具備該制程能力。

而就在去年，聯(lián)電共同總經理王石曾表示，聯(lián)電的3DIC解決方案已獲得客戶采用，首個應用為射頻前端模組。聯(lián)電不僅在RFSOI特殊制程方面有望實現(xiàn)市占率的顯著增長，還會在內嵌式高壓制程領域持續(xù)開拓客戶資源。在先進封裝領域，聯(lián)電除了提供2.5D封裝用的中間層（Interposer），還供應WoWHybridbonding（混合鍵和）技術，首個采用該技術的案件來自其采用自家RFSOI制程的既有客戶。

去年12月，有消息稱，聯(lián)電奪得高通高性能計算（HPC）產品的先進封裝大單，預計將應用在AIPC、車用以及AI服務器市場，甚至包括HBM的整合。同時，這也打破了先進封裝代工市場由臺積電、英特爾、三星等少數(shù)廠商壟斷的態(tài)勢。聯(lián)電未對單一客戶做出回應，但強調先進封裝是公司重點發(fā)展的方向，并會與智原、矽統(tǒng)等子公司及存儲供應伙伴華邦共同打造先進封裝生態(tài)系統(tǒng)。

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三星：SAINT技術構建3D封裝新體系

三星在先進封裝領域同樣不甘落后，推出了SAINT（三星先進互連技術）。SAINT技術體系涵蓋三種不同的3D堆疊技術：用于SRAM的SAINT-S、用于邏輯的SAINT-L和用于在CPU或GPU等邏輯芯片之上堆疊DRAM的SAINT-D。三星的新型3D封裝方法別具一格，涉及將HBM芯片垂直堆疊在處理器頂部，這與現(xiàn)有的通過硅中介層水平連接HBM芯片和GPU的2.5D技術截然不同。這種垂直堆疊方法成功消除了對硅中介層的需求，但需要使用復雜的工藝技術制造用于HBM內存的新基片。

在韓國國內市場，三星積極擴充封裝設施。三星與忠清南道此前及天安市簽訂協(xié)議，計劃在天安建設一座先進的HBM封裝工廠，占地28萬平方米，并預計在2027年完成。此外，三星正在日本橫濱建設AdvancedPackagingLab（APL），專注于研發(fā)下一代封裝技術。該項目將致力于支持高價值芯片應用，如HBM、人工智能（AI）和5G技術。

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AI和HBM推動先進封裝方案進步

不難發(fā)現(xiàn)，晶圓大廠的先進封裝方案大多聚焦于HBM內存堆疊。隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展，對高帶寬內存（HBM）的需求呈爆發(fā)式增長。HBM能夠提供極高的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬，滿足AI芯片在處理海量數(shù)據(jù)時對內存性能的嚴苛要求。先進封裝技術通過將HBM芯片與處理器芯片進行高效集成，能夠顯著提升芯片系統(tǒng)的整體性能和能效比。特別是HBM4的封裝方式正在從傳統(tǒng)的水平2.5D方法轉向垂直3D堆疊。

以臺積電為例，其先進封裝技術如CoWoS、CoPoS等，為HBM內存與處理器的集成提供了可靠的解決方案。通過優(yōu)化封裝結構和互連技術，臺積電能夠實現(xiàn)HBM與處理器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸，降低傳輸延遲，從而提高AI芯片的運算效率。英特爾的EMIB-T技術以及三星的SAINT技術，同樣在HBM內存堆疊和集成方面具備獨特優(yōu)勢，能夠更好地支持高性能內存，提升芯片間的通信帶寬和穩(wěn)定性。

從市場需求來看，人工智能應用的快速發(fā)展，如深度學習、大數(shù)據(jù)分析、自然語言處理等，對計算能力和內存帶寬提出了前所未有的要求。AI芯片作為這些應用的核心驅動力，需要借助先進封裝技術將HBM內存與處理器緊密集成，以實現(xiàn)更高的性能和更低的功耗。因此，各大晶圓大廠紛紛圍繞HBM內存堆疊布局先進封裝方案，旨在滿足AI市場的巨大需求，搶占人工智能時代半導體市場的制高點。

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