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在芯片制造中，光刻機(jī)是最核心的設(shè)備。
而EUV則是制造7nm以下芯片必不可少的設(shè)備，且全球只有ASML一家能夠制造，美國(guó)還不允許它賣(mài)給中國(guó)企業(yè)。
所以制造出國(guó)產(chǎn)EUV就相當(dāng)重要了，因?yàn)槿绻麤](méi)有國(guó)產(chǎn)EUV，我們的芯片工藝要進(jìn)入7nm以下，幾乎不太可能。
也許能夠多重曝光，用浸潤(rùn)式光刻機(jī)，也能夠制造出7nm以下芯片，但多重曝光會(huì)顯著降低良率，提高成本，實(shí)際上是無(wú)法大規(guī)模量產(chǎn)商業(yè)化的。
目前ASML的EUV光刻機(jī)，其采用的方式是LPP路線(xiàn)，即用高能激光器轟擊錫滴產(chǎn)生等離子體，釋放出13.5nm波長(zhǎng)的光源，也就是極紫外線(xiàn)。
在這一條路線(xiàn)上，ASML綁定了蔡司、Cymer等等核心企業(yè)，這些核心企業(yè)是全球唯一，無(wú)可替代，可以說(shuō)ASML斷了其它很多企業(yè)的EUV之路。
所以說(shuō)，如果我們要研發(fā)EUV光刻機(jī)，更好的辦法是彎道超車(chē)，或者換道超車(chē)。
而近日，有消息指出，目前國(guó)內(nèi)的科學(xué)家們其實(shí)發(fā)現(xiàn)，EUV的下一代，可能是采用更高級(jí)的光源，比如采用6.7nm或4.4nm的波長(zhǎng)光線(xiàn)。
在光刻中，如果光線(xiàn)波長(zhǎng)越小，那么其分辨率是越高，越是能夠制造出更先進(jìn)的芯片的。
科學(xué)家們認(rèn)為，如果能夠采用6.7nm和4.4nm的光線(xiàn)，那么其精度比當(dāng)前13.5nm波長(zhǎng)高很多，能夠制造的芯片工藝也會(huì)先進(jìn)很多。
目前中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)在嘗試用釓代替錫為材料，激發(fā)出6.7nm波長(zhǎng)的光線(xiàn)來(lái)。而這種光刻機(jī)的透鏡，則采用鑭和硼。
這樣我們就能夠繞開(kāi)ASML設(shè)的坎，繞開(kāi)蔡司、Cymer等等核心企業(yè)，走出一條屬于中國(guó)的光刻機(jī)之路來(lái)。
不過(guò)，困難也有很多，比如波長(zhǎng)較短時(shí)，反射率較差，要收集這些光線(xiàn)，相當(dāng)困難。另外波長(zhǎng)更短，能量分布在更少的光子上，出錯(cuò)的幾率也會(huì)增加。
但不可否認(rèn)的是，如果這一切真的實(shí)現(xiàn)了，那么國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，將跳過(guò)EUV,進(jìn)入更高一個(gè)層次，那么卡住我們的光刻機(jī)，將再也不是問(wèn)題了，反而全球的芯片廠(chǎng)，都要找我們買(mǎi)光刻機(jī)了。
當(dāng)然，技術(shù)路線(xiàn)從理論到商用，中間會(huì)有一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程，大家要有耐心一點(diǎn)，同時(shí)最終能不能商用落地，也不一定，但必須要不斷的研究，才有可能最終商用，所以大家多些支持鼓勵(lì)，少些嘲諷，你覺(jué)得呢？
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