騰梓暄

在三星電子負(fù)責(zé)DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）工藝長達十年后，一位43歲、化名A的工程師于2023年入職SK海力士。最令他驚訝的并非技術(shù)工作本身，而是擺脫了他口中“虛假匯報文化”后的解脫。在三星，跨部門項目常常會暴露出工藝或設(shè)計上的缺陷，但為了避免內(nèi)部追責(zé)，這些問題通常會被輕描淡寫地帶過。“所有人都清楚這種‘游戲規(guī)則’，”他表示，“把問題最小化，否則你的團隊就會‘遭殃’?！?/p>

工程師B畢業(yè)于頂尖工程院校后加入三星，在該公司工作了八年，也表達了類似的看法。他原本以為韓國領(lǐng)先的芯片制造商之間不會有太大差異，卻發(fā)現(xiàn)SK海力士的運作模式截然不同：自下而上的決策機制以及公開的內(nèi)部競爭?！霸谌牵瑢τ谌魏涡绿嶙h，第一反應(yīng)往往是‘如果失敗了，你能承擔(dān)責(zé)任嗎？’”他說道，“僅這一點就扼殺了創(chuàng)新?！?/p>

隨著三星在存儲芯片領(lǐng)域的主導(dǎo)地位逐漸削弱——尤其是在高帶寬內(nèi)存（HBM）和DRAM方面——行業(yè)分析師指出，頂尖工程人才的流失正在加速一場更深層次的危機。C今年51歲，在三星設(shè)計DRAM工藝近20年，如今在SK海力士領(lǐng)導(dǎo)第六代（1c）10納米級DRAM的開發(fā)工作。他表示，近年來從三星跳槽到SK海力士的情況大幅增加?！斑@不僅僅是薪資的問題，”他說，“而是僵化的層級制度、表面功夫式的職場政治，以及抑制冒險精神的人力資源體系?！?/p>

在爭奪人工智能時代存儲芯片主導(dǎo)權(quán)的競賽中，這種內(nèi)部創(chuàng)新的退縮愈發(fā)明顯。據(jù)B介紹，SK海力士鼓勵不同團隊之間就競爭性封裝技術(shù)（如MR-MUF和混合鍵合技術(shù)）展開競爭，然后根據(jù)性能和成本進行篩選。而在三星，他表示，首要考慮的是如果出現(xiàn)問題，誰會被追責(zé)。

這背后的利害關(guān)系重大。SK海力士的內(nèi)部競爭已經(jīng)帶來了突破：工程師們曾認(rèn)為MR-MUF技術(shù)無法擴展到16層以上。但通過內(nèi)部反復(fù)迭代，該公司將其擴展到了20層，大幅提升了效率。B將這種做法與臺積電的做法相提并論：“把現(xiàn)有工具用到極致，以降低成本并在性能上領(lǐng)先?！?/p>

相比之下，三星仍存在規(guī)避風(fēng)險的心態(tài)?！爱?dāng)?shù)谝粋€問題是‘你能保證這會成功嗎？’時，新想法就會戛然而止?！盉說道。

如今，人才外流已不僅僅局限于存儲芯片領(lǐng)域。隨著下一代HBM4整合邏輯芯片（這需要先進的晶圓代工工藝），SK海力士已開始招募三星的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）工程師。自2024年以來，已有小團隊陸續(xù)跳槽，每次有兩到三人。

43歲的前晶圓代工工程師D提到，長期虧損、產(chǎn)能利用率低以及對業(yè)務(wù)分拆的猜測是他離職的原因。他還指出，三星備受推崇的存儲部門與其晶圓代工業(yè)務(wù)之間存在士氣差距。

現(xiàn)就職于SK海力士的高級研究員E則把矛頭指向三星的“血統(tǒng)心態(tài)”?！俺悄闶峭ㄟ^公司內(nèi)部體系一步步升上來的，否則幾乎不可能進入存儲部門的領(lǐng)導(dǎo)層?！彼硎尽?/p>

相反，SK海力士不論資歷，只看業(yè)績，不僅任用從三星跳槽過來的資深人士，還讓不太知名的軟件專業(yè)人士擔(dān)任關(guān)鍵崗位。這種開放態(tài)度已見成效。曾經(jīng)在NAND閃存技術(shù)方面落后的SK海力士，如今已縮小了差距。其近期推出的高利潤率產(chǎn)品，性能已達到或超過三星和美光的同類產(chǎn)品。

關(guān)鍵招聘起到了重要作用。崔正達爾（音譯）曾在SK海力士領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)出全球首款321層NAND閃存，他此前是三星的高管，還曾獲得三星的“三星驕傲獎”。他的前任鄭泰成（音譯）在加入SK海力士之前，也在三星工作了二十年。

專家表示，三星的問題并非出在技術(shù)上，而是結(jié)構(gòu)上?！斑@是一個‘管理優(yōu)先’的組織，”西江大學(xué)商學(xué)院教授金永珍（音譯）表示，“工程決策要經(jīng)過財務(wù)指標(biāo)的篩選。如果領(lǐng)導(dǎo)層不重置這套體系，三星的半導(dǎo)體優(yōu)勢可能會繼續(xù)被削弱。”

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