在第三代半導(dǎo)體加速滲透的浪潮中,聞泰科技(維權(quán))半導(dǎo)體業(yè)務(wù)堅持研發(fā)創(chuàng)新,推出行業(yè)領(lǐng)先的SiCTrenchMOS,不僅彰顯了技術(shù)突破的實力,更成為企業(yè)價值增長、推動產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵錨點。
定義業(yè)界標桿
公司SiCTrenchMOS行業(yè)領(lǐng)先
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體核心材料,在電力電子器件領(lǐng)域的價值日益凸顯。其中,SiCTrenchMOS因多重優(yōu)勢,被視為下一代功率器件的重要方向,但受限于制造工藝,長期以來產(chǎn)業(yè)化進程緩慢。
聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)以創(chuàng)新為驅(qū)動,推出SiC溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET(TrenchMOS),其工藝在成本和性能上已處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
什么是溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET?相較于傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu),溝槽結(jié)構(gòu)通過將柵極埋入基體形成垂直溝道,寄生電容更小,開關(guān)速度更快,開關(guān)損耗顯著降低;同時,通過優(yōu)化溝道設(shè)計,可實現(xiàn)更高溝道遷移率,進一步降低導(dǎo)通電阻,在充電樁、光伏逆變器、電動汽車等場景中,展現(xiàn)出突出的應(yīng)用價值。
產(chǎn)能前瞻布局
筑牢技術(shù)落地的根基
技術(shù)突破的同時,公司在產(chǎn)能端開展前瞻布局。公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)位于德國漢堡晶圓廠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線將在第四季度完成SiC和GaN中試產(chǎn)線建設(shè);同時,控股股東先行代建的臨港晶圓廠正導(dǎo)入新一代IGBT及BCD工藝。這些產(chǎn)線的落地,將為公司新產(chǎn)品的工藝與成本改善提供支撐,同時助力公司在GaN、SiC、IGBT等領(lǐng)域形成技術(shù)與產(chǎn)能的聯(lián)動優(yōu)勢,推動“技術(shù)創(chuàng)新—規(guī)模效應(yīng)”的良性循環(huán)。盡管新產(chǎn)品在公司業(yè)務(wù)中占比尚小,但隨著研發(fā)的有序推進,有望為未來發(fā)展注入新動力。
目前,公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)自有工廠滿產(chǎn)運行,臨港晶圓廠等第三方代工廠訂單充足,三季度訂單持續(xù)向好,為全年增長打下了堅實基礎(chǔ)。
業(yè)績穩(wěn)健增長
彰顯市場高度認可
研發(fā)與產(chǎn)能上的持續(xù)深耕,正在轉(zhuǎn)化為實實在在的業(yè)績增長。
2025年以來,聞泰半導(dǎo)體業(yè)務(wù)景氣度持續(xù)回升:一季度收入同比增長超8%,經(jīng)營性凈利潤同比增長超65%;二季度延續(xù)增長態(tài)勢,收入、凈利潤同比及環(huán)比均實現(xiàn)兩位數(shù)增長,且凈利潤增速高于收入增速,反映出公司在出貨量提升與成本管控上的雙重成效。
伴隨全球?qū)Ω咝拾雽?dǎo)體器件的需求增長,功率半導(dǎo)體有望在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機器人等領(lǐng)域拓展更大空間。隨著市場趨勢對半導(dǎo)體的依賴性增強,預(yù)計半導(dǎo)體業(yè)務(wù)未來幾年的增長趨勢是積極的。
SiCTrenchMOS的推出,是聞泰科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要突破。聞泰科技正以其為支點,持續(xù)深耕SiC、GaN、IGBT等前沿領(lǐng)域,通過構(gòu)建領(lǐng)先的制造能力,在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)落地中不斷創(chuàng)造價值,為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入持續(xù)動力。
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