釋永信被查 《天龍八部》照進(jìn)現(xiàn)實(shí)
文|半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
近日，高盛分析師預(yù)測，2026年HBM的價(jià)格或?qū)⑾碌?0%。
HBM的定價(jià)權(quán)將從制造商轉(zhuǎn)移到以英偉達(dá)為代表的客戶手中。這意味著SK海力士壟斷80%-90%英偉達(dá)訂單的局面將不復(fù)存在。
這是SK海力士在今年被潑的第一盆冷水。
價(jià)格下跌的核心原因是“供過于求”。
高盛表示，隨著三星、SK海力士、美光等巨頭加速擴(kuò)產(chǎn)，HBM供應(yīng)量將大幅超過需求，直接壓低平均銷售價(jià)格（ASP）。數(shù)據(jù)顯示，高盛已將2026年HBM總目標(biāo)市場（TAM）預(yù)測下調(diào)13%，從510億美元降至450億美元，同時(shí)將增長預(yù)期從45%大幅下調(diào)至25%。
關(guān)于HBM即將供應(yīng)過剩的傳聞，這已經(jīng)不是第一次。去年9月，法國巴黎銀行旗下證券部門ExaneBNPParibas就曾表示預(yù)計(jì)在2025年底前，HBM產(chǎn)能將大幅超出需求，這將進(jìn)一步打壓價(jià)格。
那么此次預(yù)測是否空穴來風(fēng)？明年HBM市場是否會迎來價(jià)格的急轉(zhuǎn)直下？
在回答這些問題之前，要先來看一看市場的HBM產(chǎn)能究竟有多少？以及市場需要多少的HBM？
HBM，水深火熱
眾所周知，在HBM市場，主要有三大供應(yīng)商，分別為SK海力士、三星和美光。
從2026年HBM的產(chǎn)量來看，據(jù)分析師透露：
SK海力士已將2025年底月產(chǎn)能目標(biāo)從6.5萬片上調(diào)至15萬片，并計(jì)劃2026年進(jìn)一步擴(kuò)建。三星2025年底HBM月產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)15萬片晶圓，雖較此前計(jì)劃下調(diào)，但仍在加速向博通、AWS等客戶供應(yīng)HBM3E產(chǎn)品，2026年出貨量或年增20%；美光2026年底月產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)9萬片，同時(shí)在美國加碼2000億美元投資，涵蓋HBM封裝設(shè)施。
也就是說，單單是SK海力士與三星這兩家公司在2025年底的HBM月產(chǎn)能就達(dá)到30萬片，而此前ExaneBNPParibas預(yù)測同時(shí)期的HBM月需求僅僅為16.8萬片。不過，僅僅是來自市場的一則數(shù)據(jù)并無法證實(shí)HBM市場將會迎來供過于求。
因?yàn)?，隨著亞馬遜、Meta和谷歌等公司運(yùn)營的AI模型專用定制半導(dǎo)體需求激增，ASIC市場也迎來了快速增長。
三星電子、SK海力士和美光公司正在擴(kuò)大面向ASIC設(shè)計(jì)公司的HBM產(chǎn)品供應(yīng)。上個(gè)月，美光公司在其業(yè)績發(fā)布會上提到，除了英偉達(dá)和AMD之外，ASIC平臺公司也是HBM批量出貨的四大主要客戶。
而來自ASIC的市場需求數(shù)據(jù)，并未全面被考慮在內(nèi)。因此，難以準(zhǔn)確預(yù)測明年的HBM市場供需格局。
不過，半導(dǎo)體是一個(gè)周期性很強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)，在“需求爆發(fā)、缺貨漲價(jià)、投資擴(kuò)產(chǎn)”的上升周期之后，往往跟隨的就是“需求萎縮、產(chǎn)能過剩、價(jià)格下跌”的衰退周期。HBM作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要品類，恐怕也難以脫離這一周期，因此需求過剩的概率仍有較大可能發(fā)生。
退一步講，倘若2026年的HBM市場當(dāng)真出現(xiàn)供過于求的情況，那么將會集中在哪些HBM產(chǎn)品領(lǐng)域，SK海力士又是否會成為首個(gè)受到?jīng)_擊的企業(yè)？
來自HBM市場的幾則數(shù)據(jù)，已經(jīng)指出HBM未來的發(fā)展方向。
HBM遇冷之際，誰最先受到?jīng)_擊？
關(guān)于最先受到?jīng)_擊的公司，筆者認(rèn)為未必是SK海力士。
根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，SK海力士目前在HBM市場的占有率約為50%，遠(yuǎn)超三星電子（30%）和美光（20%）。
若僅看最新的HBM3E產(chǎn)品，SK海力士的市占率更是高達(dá)70%。
早在2024年Q2的業(yè)績說明會上，SK海力士就曾提到其HBM3E產(chǎn)品2024年的出貨量占比將超過整體HBM出貨量的50%，2025年12層HBM3E的出貨量將超過8層HBM3E產(chǎn)品。
上述數(shù)據(jù)可以得出結(jié)論：8層和12層HBM3E是2025年HBM市場的主流產(chǎn)品，而SK海力士又是該產(chǎn)品的主要供應(yīng)商。
今年3月，SK海力士首席執(zhí)行官郭魯正就曾表示該公司2025年的HBM產(chǎn)品已然售罄。SK海力士還表示訂單能見度可達(dá)2026年一季度。
作為HBM的最主要客戶之一，英偉達(dá)的GPU需求量一定程度上也會影響HBM的需求。
上文提到，SK海力士幾乎壟斷了英偉達(dá)的HBM訂單，占據(jù)了80%-90%的份額。而三星的HBM3E產(chǎn)品一直未能得到英偉達(dá)的驗(yàn)證，其主要客戶為AMD，此外三星為博通提供的8層堆疊HBM3E產(chǎn)品剛剛完成認(rèn)證測試。
韓媒ZDNETKorea報(bào)道稱，由于遲遲未得到英偉達(dá)的HBM3E12Hi內(nèi)存供應(yīng)許可，三星電子已在二季度末將相關(guān)產(chǎn)品的晶圓投片量從此前的每月7~8萬片降低至3~4萬片。
三星電子為在獲得英偉達(dá)批準(zhǔn)的第一時(shí)間就出貨HBM3E12Hi，從今年一季度末開始大幅提高了HBM3E12Hi的生產(chǎn)規(guī)模，但原計(jì)劃6月完成的測試目前看來至少要拖到9月，此時(shí)降低產(chǎn)能是為了避免庫存過多。
此外，由于HBM3E到HBM4的世代交替將從今年末啟動(dòng)，即使此后順利得到了英偉達(dá)的許可，三星也可能在HBM3E12Hi上保持較低的生產(chǎn)強(qiáng)度。
而SK海力士這邊，則呈現(xiàn)另一番景象。
近日，美國對英偉達(dá)面向中國市場的AI芯片"H20"的出口管制解除。H20原本采用HBM3內(nèi)存，但從今年起主要搭載SK海力士的HBM3E8層產(chǎn)品。
出口管制一解除，SK海力士便開始緊鑼密鼓的增產(chǎn)。本周，SK海力士通知英偉達(dá)，將有限度地為H20供應(yīng)額外的產(chǎn)能。SK海力士計(jì)劃在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E8層產(chǎn)品量產(chǎn)。
上述一系列結(jié)論證明，倘若市場出現(xiàn)供過于求，作為HBM龍頭企業(yè)的SK海力士或許并不是第一個(gè)受到?jīng)_擊的對象，HBM2等舊款產(chǎn)品可能最先出現(xiàn)供應(yīng)過剩，倘若庫存消化不及時(shí)，三星也有可能先一步陷入窘境。
TrendForce此前也曾預(yù)測，受AI平臺積極采用新一代HBM產(chǎn)品的影響，2025年超80%的HBM需求將集中于HBM3e產(chǎn)品。其中，12hi產(chǎn)品占比將超一半，成為下半年AI領(lǐng)域主要廠商競相訂購的主流產(chǎn)品，8hi產(chǎn)品需求次之。
因此，即便出現(xiàn)供過于求的情況，也更可能出現(xiàn)在HBM2e、HBM3等舊世代產(chǎn)品上。至于對各DRAM供應(yīng)商的影響程度，則取決于它們各自的產(chǎn)品組合。
因此筆者的觀點(diǎn)更傾向于另一所研究機(jī)構(gòu)所言：瑞銀表示，隨著AI對計(jì)算的需求繼續(xù)重塑內(nèi)存格局，HBM有望在2026年迎來突破性的一年。
盡管短期內(nèi)存市場存在一些噪音，尤其是圍繞英偉達(dá)與SK海力士、三星和美光科技公司等高帶寬內(nèi)存供應(yīng)商的談判，但真正的故事正在醞釀中。
瑞銀認(rèn)為，SK海力士在英偉達(dá)的領(lǐng)導(dǎo)地位將得以維持，而谷歌、AWS和微軟的ASIC部門最近贏得的設(shè)計(jì)勝利表明，SK海力士將被鎖定為該行業(yè)主要的HBM供應(yīng)商。即使HBM市場競爭預(yù)計(jì)會加劇，但在2026年底之前，這不太可能成為SK海力士的嚴(yán)重阻力。
HBM4，2026年的焦點(diǎn)之一
不能確定的是：HBM是否會在2026年迎來供應(yīng)過剩。
但可以確定的是：2026年的對局將不限于HBM3E。
HBM4是明年的一大看點(diǎn)。
SK海力士計(jì)劃在今年下半年開始量產(chǎn)HBM4。
三星的HBM4產(chǎn)品進(jìn)程也在近日迎來更新。據(jù)悉，三星已準(zhǔn)備在本月底前向AMD和英偉達(dá)等客戶提供HBM4樣品。在此前HBM3系列產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程中，三星可謂是連連受挫。因此，三星正卯足力氣以期在HBM4的競爭中打贏這場翻身仗。
三星將采用10納米級第六代DRAM工藝（1c）來開發(fā)更精密、良率更高的HBM4，以改變SK海力士在HBM3E市場上的獨(dú)家供應(yīng)地位。根據(jù)此前信息，三星計(jì)劃在8月交付更高堆疊的HBM416Hi樣品。這一系列動(dòng)作表明，三星正在積極爭取在HBM4市場中占據(jù)一席之地。
今年6月，美光宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GBHBM4內(nèi)存。美光在HBM領(lǐng)域的布局也顯示出其積極追趕三星和SK海力士的意圖。美光計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)HBM4的產(chǎn)能爬坡，以與客戶的下一代AI平臺量產(chǎn)節(jié)奏保持一致。
隨著這些存儲原廠紛紛推進(jìn)HBM4的研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將會對AI芯片存儲市場產(chǎn)生重大影響。特別是對于英偉達(dá)等AI加速器制造商而言，HBM4的引入意味著更高的性能和效率，同時(shí)也可能帶來成本上的競爭優(yōu)勢。
《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》援引韓國分析師的話警告稱，當(dāng)下一代HBM4在2025年上市時(shí)，SK海力士的市場份額可能會萎縮。
具體的競爭情況，還要看各家HBM4產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)應(yīng)用的實(shí)際表現(xiàn)。
HBM，未來十年之爭
HBM4的競爭，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是終點(diǎn)。
日前韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）教授JounghoKim公布了2025年到2040年HBM各代的技術(shù)路線圖。
HBM5將于2029年到來，KAIST預(yù)計(jì)HBM5將繼續(xù)使用微凸塊技術(shù)（MR-MUF），盡管據(jù)報(bào)道該行業(yè)已經(jīng)在考慮與HBM4直接鍵合。此外，HBM5還將在基礎(chǔ)芯片上集成L3緩存、LPDDR和CXL接口，以及熱監(jiān)控。KAIST還預(yù)計(jì)AI工具將在HBM5一代開始在優(yōu)化物理布局和減少抖動(dòng)方面發(fā)揮作用。
HBM6將于2032年到來，其將采用主動(dòng)/混合（硅+玻璃）中介層技術(shù)，最大堆疊層數(shù)從HBM5的16層增至20層，單堆容量可達(dá)96-120GB。
HBM7將于2035年到來，其將支持最高24層堆疊，容量達(dá)160-192GB，帶寬24TBps，是HBM6的三倍。
HBM8將于2038年到來，其同樣支持24層堆疊，帶寬提升至64TBps，容量增至200-240GB。HBM8的亮點(diǎn)是可能采用雙面中介層設(shè)計(jì)，一面安裝HBM，另一面可安裝HBM、LPDDR內(nèi)存或HBF（高帶寬閃存）。
從HBM4到HBM8，內(nèi)存技術(shù)正經(jīng)歷由“高速存儲”向“內(nèi)存即計(jì)算”的深刻轉(zhuǎn)變，3D集成、熱管理、AI輔助設(shè)計(jì)與異構(gòu)互聯(lián)正在共同構(gòu)建新一代高性能系統(tǒng)的核心內(nèi)存平臺，HBM的發(fā)展還將進(jìn)一步走向與光互聯(lián)、片上網(wǎng)絡(luò)（NoC）、存算融合等前沿技術(shù)的結(jié)合。
