祈驪穎

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

三星遲遲未獲英偉達(dá)認(rèn)證之際，美光正在加速布局HBM市場(chǎng)。

美光科技正在競(jìng)爭(zhēng)激烈的高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)加大投入，憑借近期取得的成果擴(kuò)大產(chǎn)能，以搶占AI平臺(tái)推動(dòng)下不斷增長(zhǎng)的需求。

在第三財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，這家美國(guó)芯片制造商回應(yīng)了分析師關(guān)于其HBM戰(zhàn)略的尖銳問(wèn)題，重點(diǎn)關(guān)注當(dāng)前生產(chǎn)良率、客戶樣品出貨、認(rèn)證時(shí)間表以及如何擴(kuò)大規(guī)模以實(shí)現(xiàn)未來(lái)增長(zhǎng)。

此前有消息稱，美光12層36GB的HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)并進(jìn)入量產(chǎn)階段，該消息引發(fā)了市場(chǎng)的高度關(guān)注。這一里程碑使美光成為英偉達(dá)即將推出的B300AI加速器的第二家獲得下一代HBM3E內(nèi)存認(rèn)證的供應(yīng)商，與韓國(guó)的SK海力士一同躋身該“精英陣營(yíng)”。

美光與SK海力士的進(jìn)展，讓三星電子的處境愈發(fā)引人關(guān)注——三星的HBM3E芯片尚未獲得英偉達(dá)的認(rèn)證。這一延遲引發(fā)了業(yè)內(nèi)擔(dān)憂：三星可能在為下一波AI計(jì)算提供動(dòng)力的關(guān)鍵領(lǐng)域落后于人。

三星進(jìn)度滯后，美光展現(xiàn)信心

由于三星的HBM芯片遲遲未能獲取英偉達(dá)認(rèn)證，分析師向美光追問(wèn)：如果其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)一步落后，美光能否提高產(chǎn)能？

美光的回應(yīng)透露出信心，稱其12層HBM3E的產(chǎn)能在產(chǎn)量和芯片良率上，比上一代8層產(chǎn)品的增長(zhǎng)速度更快、效率更高。該公司表示，在制造表現(xiàn)、良率提升和客戶關(guān)系等多個(gè)方面都有扎實(shí)的執(zhí)行成果。這種良好勢(shì)頭的關(guān)鍵在于美光采用了先進(jìn)的1-beta（1?）DRAM工藝，該工藝既用于HBM3E芯片，也為下一代HBM4芯片提供支持。這一工藝不僅提升了效率，還讓美光能夠根據(jù)需要靈活調(diào)整不同產(chǎn)品的產(chǎn)能分配。

為滿足日益增長(zhǎng)的需求，美光正在擴(kuò)大后端業(yè)務(wù)，在新加坡，美光的集成式組裝和封裝生產(chǎn)線正在建設(shè)中。新設(shè)施預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。與此同時(shí)，美光稱其2025年的HBM供應(yīng)量已全部售罄。

美光提前布局，HBM4蓄勢(shì)待發(fā)

隨著對(duì)AI加速器的需求持續(xù)飆升，美光正與客戶緊密配合，使內(nèi)存供應(yīng)與下一代GPU和ASIC架構(gòu)相匹配。該公司已開(kāi)始向多家合作伙伴提供HBM4芯片樣品，并表示關(guān)于性能和技術(shù)規(guī)格的早期反饋極為積極。

美光預(yù)計(jì)，待通過(guò)客戶認(rèn)證后，HBM4芯片將于2026年初進(jìn)入量產(chǎn)階段。這些芯片將繼續(xù)采用該公司的TC-NCF堆疊技術(shù)以及先進(jìn)的1bDRAM節(jié)點(diǎn)——這一方案旨在保持穩(wěn)定的良率和生產(chǎn)穩(wěn)定性。

美光表示，憑借將HBM3E從8層提高到12層的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，公司已做好充分準(zhǔn)備，以滿足2026年及以后不斷增長(zhǎng)的客戶需求。美光指出，12層高的HBM3E量產(chǎn)進(jìn)展超出預(yù)期，在良率和產(chǎn)出速度上均優(yōu)于前幾代產(chǎn)品。

SK海力士與三星，路徑分化

SK海力士在下一代高帶寬內(nèi)存的競(jìng)爭(zhēng)中穩(wěn)步推進(jìn)，其HBM4芯片已于2025年初開(kāi)始樣品測(cè)試，量產(chǎn)計(jì)劃于下半年啟動(dòng)。與美光一樣，這家韓國(guó)芯片制造商采用成熟的1bDRAM工藝，并依托新建的M15X工廠提供支持。

與此同時(shí)，三星則選擇了一條更具野心但風(fēng)險(xiǎn)更高的路線。該公司押注其第六代1cDRAM節(jié)點(diǎn)，為HBM4的推出提供支撐，量產(chǎn)目標(biāo)定在2025年末。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星目前1cDRAM的良率在50%至70%之間。此外，有消息稱三星計(jì)劃從2026年起，在華城和平澤工廠加大1c產(chǎn)能的投入。

然而，三星整體的HBM發(fā)展路線圖因HBM3E芯片遲遲未獲英偉達(dá)認(rèn)證而蒙上陰影——這一延遲引發(fā)了業(yè)內(nèi)的擔(dān)憂。盡管部分分析師認(rèn)為三星有望在HBM4領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)趕超，但良率穩(wěn)定性方面的疑慮引發(fā)了新的審視。在美光最近的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，分析師再次追問(wèn)：如果三星未能跟上進(jìn)度，美光是否有能力填補(bǔ)供應(yīng)缺口。

不過(guò)，也有投資人表示看好三星的前景。NinetyOneGlobalStrategyFund亞洲股票基金的聯(lián)席經(jīng)理查理·林頓表示，盡管三星的股價(jià)表現(xiàn)落后于SK海力士，但一旦三星下一代DRAM芯片投入生產(chǎn)，有望幫助其股價(jià)追上同行。今年以來(lái)，三星股價(jià)上漲了20%，而SK海力士的股價(jià)則飆升了60%。

“目前所有人都對(duì)三星持倉(cāng)不足，”同時(shí)持有SK海力士股票的林頓說(shuō)道，“我們對(duì)此持相對(duì)更樂(lè)觀的態(tài)度，部分原因是其估值看起來(lái)極具吸引力?！?/p>

中國(guó)股票在該基金中占比近三分之一。林頓持有北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司的股票，他認(rèn)為，憑借本土化努力以及快于國(guó)內(nèi)同行的增長(zhǎng)速度，北方華創(chuàng)可作為中國(guó)半導(dǎo)體實(shí)力崛起的代表性企業(yè)。

*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個(gè)人觀點(diǎn)，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認(rèn)同，如有異議，請(qǐng)聯(lián)系后臺(tái)。

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