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IT之家7月26日消息，隨著集成電路工藝向7nm及以下節(jié)點不斷推進，13.5nm波長的EUV光刻成為實現(xiàn)先進芯片制造的核心技術(shù)。但EUV光源反射損耗大、亮度低等特點，對光刻膠在吸收效率、反應機制和缺陷控制等方面提出了更高挑戰(zhàn)。

清華大學宣布，該?；瘜W系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展——開發(fā)出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane,PTeO）的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計策略。

▲聚碲氧烷：理想的EUV光刻膠材料

IT之家查詢發(fā)現(xiàn)，相關(guān)成果已于7月16日發(fā)表在《科學進展》上（DOI:10.1126/sciadv.adx1918）。

該研究提供了一種融合高吸收元素Te、主鏈斷裂機制與材料均一性的光刻膠設(shè)計路徑，有望推動下一代EUV光刻材料的發(fā)展，助力先進半導體工藝技術(shù)革新。

清華表示，當前主流EUV光刻膠多依賴化學放大機制或金屬敏化團簇來提升靈敏度，但常面臨結(jié)構(gòu)復雜、組分分布不均、反應容易擴散，容易引入隨機缺陷等問題。

如何突破這些瓶頸，構(gòu)建理想光刻膠體系，成為當前EUV光刻材料領(lǐng)域的核心挑戰(zhàn)。學界普遍認為，理想的EUV光刻膠應同時具備以下四項關(guān)鍵要素：

1）高EUV吸收能力，以減少曝光劑量，提升靈敏度；2）高能量利用效率，確保光能在小體積內(nèi)高效轉(zhuǎn)化為光刻膠材料溶解度的變化；3）分子尺度的均一性，避免組分隨機分布與擴散帶來的缺陷噪聲；4）盡可能小的構(gòu)筑單元，以消除基元特征尺寸對分辨率的影響，減小線邊緣粗糙度（LER）。

長期以來，鮮有材料體系能夠同時滿足這四個標準。現(xiàn)在，許華平教授課題組基于團隊早期發(fā)明的聚碲氧烷開發(fā)出一種全新的EUV光刻膠，滿足了上述理想光刻膠的條件。

聚碲氧烷的結(jié)構(gòu)與性能示意圖

在該項研究中，團隊將高EUV吸收元素碲（Te）通過Te─O鍵直接引入高分子骨架中。碲具有除惰性氣體元素氙（Xe）、氡（Rn）和放射性元素砹（At）之外最高的EUV吸收截面，EUV吸收能力遠高于傳統(tǒng)光刻膠中的短周期元素和Zn、Zr、Hf和Sn等金屬元素，顯著提升了光刻膠的EUV吸收效率。

同時，Te─O鍵較低的解離能使其在吸收EUV后可直接發(fā)生主鏈斷裂，誘導溶解度變化，從而實現(xiàn)高靈敏度的正性顯影。這一光刻膠僅由單組份小分子聚合而成，在極簡的設(shè)計下實現(xiàn)了理想光刻膠特性的整合，為構(gòu)建下一代EUV光刻膠提供了清晰而可行的路徑。