史夢竹

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

新版JESD209-6LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率6（LPDDR6）標(biāo)準(zhǔn)。JESD209-6旨在顯著提升多種應(yīng)用場景（包括移動(dòng)設(shè)備和人工智能）的內(nèi)存速度與效率。JEDEC稱，新版JESD209-6LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

為支持人工智能應(yīng)用及其他高性能工作負(fù)載，LPDDR6采用雙子通道架構(gòu)，在保持32字節(jié)小訪問粒度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)靈活操作。此外，LPDDR6的主要特性還包括：

每顆芯片含2個(gè)子通道，每個(gè)子通道有12條數(shù)據(jù)信號線（DQs），以優(yōu)化通道性能。

每個(gè)子通道包含4條命令/地址（CA）信號，經(jīng)優(yōu)化減少焊球數(shù)量并提高數(shù)據(jù)訪問速度。

靜態(tài)效率模式，旨在支持大容量內(nèi)存配置并最大化存儲(chǔ)體資源利用率。

靈活的數(shù)據(jù)訪問，支持實(shí)時(shí)突發(fā)長度控制，可實(shí)現(xiàn)32B和64B訪問。

動(dòng)態(tài)寫入NT-ODT（非目標(biāo)片上終端），使內(nèi)存能根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整ODT，提升信號完整性。

能效

為滿足不斷增長的能效需求，與LPDDR5相比，LPDDR6采用更低電壓和低功耗的VDD2供電，并強(qiáng)制要求VDD2采用雙電源設(shè)計(jì)。其他節(jié)能特性包括：

采用交替時(shí)鐘命令輸入，提升性能與效率。

低功耗動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFSL），在低頻運(yùn)行時(shí)降低VDD2電壓，減少功耗。

動(dòng)態(tài)效率模式，在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口。

支持部分自刷新和主動(dòng)刷新，降低刷新功耗。

安全性與可靠性

相較于上一版本標(biāo)準(zhǔn)，安全性和可靠性方面的改進(jìn)包括：

每行激活計(jì)數(shù)（PRAC），支持DRAM數(shù)據(jù)完整性。

定義隔離元模式，通過為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域，提升整體系統(tǒng)可靠性。

支持可編程鏈路保護(hù)方案和片上糾錯(cuò)碼（ECC）。

能夠支持命令/地址（CA）奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試（MBIST），增強(qiáng)錯(cuò)誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。

日前，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門副董事長全永鉉宣布，三星將于今年下半年通過第六代“1cDRAM”工藝量產(chǎn)下一代LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。

據(jù)悉，1cDRAM是DRAM制造的第六代工藝節(jié)點(diǎn)，相比前代技術(shù)，其晶體管密度更高、能效比更優(yōu)。三星通過“設(shè)計(jì)變更”戰(zhàn)略，將1cDRAM的冷態(tài)良率提升至50%，熱態(tài)良率達(dá)60%-70%，并計(jì)劃在韓國華城工廠建設(shè)新生產(chǎn)線，擴(kuò)大產(chǎn)能。LPDDR6內(nèi)存基于1c工藝開發(fā)，帶寬和功耗表現(xiàn)顯著提升，可滿足AI模型訓(xùn)練、移動(dòng)終端算力升級等場景對內(nèi)存性能的嚴(yán)苛需求。

據(jù)行業(yè)消息，高通下一代旗艦芯片“驍龍8EliteGen2”將首發(fā)支持LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃于今年9月23日的驍龍峰會(huì)上亮相。

隨著AI應(yīng)用向終端設(shè)備下沉，LPDDR6內(nèi)存的帶寬與能效成為關(guān)鍵競爭力。三星計(jì)劃通過向高通等廠商供貨，進(jìn)一步滲透智能手機(jī)、筆記本電腦及AI服務(wù)器市場，強(qiáng)化其技術(shù)壁壘。此外，三星還在HBM4等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品中部署1cDRAM技術(shù)，構(gòu)建覆蓋AI全場景的內(nèi)存解決方案。

目前，三星已制定1cDRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)最早于今年年底完成韓國華城工廠生產(chǎn)線建設(shè)。此外，該公司正同步開發(fā)DDR與LPDDR用1cDRAM，打破傳統(tǒng)開發(fā)順序，加速商業(yè)化進(jìn)程。

LPDDR6將取代現(xiàn)有的LPDDR5內(nèi)存及其衍生版本，而LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)早在2019年就已經(jīng)發(fā)布。距離LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)問世已有將近五年時(shí)間，在這段時(shí)間里，三星和美光推出了LPDDR5x，SK海力士也推出了LPDDR5T，其傳輸速率高達(dá)9.6Gbps。這些低功耗的DRAM內(nèi)存非常適合智能手機(jī)、輕薄型設(shè)備甚至筆記本電腦/迷你臺(tái)式機(jī)等強(qiáng)調(diào)低功耗的設(shè)備。

采用LPDDR5(X/T)規(guī)格的內(nèi)存模組正越來越多地出現(xiàn)在各種產(chǎn)品中。例如，LPCAMM2模組憑借其小巧的模塊化外形尺寸、更大的容量和更高的可升級性，將徹底改變PC內(nèi)存市場。

此外，最近上市的LPCAMM2模組采用了LPDDR5(X/T)的變種，由于其小巧的模塊化外形尺寸，能夠提供更大的容量和可升級性，將改變PC市場格局。

*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個(gè)人觀點(diǎn)，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認(rèn)同，如有異議，請聯(lián)系后臺(tái)。

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