吳新韻

在芯片的全套生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，主要分為設(shè)計(jì)、制造、封測這么三個(gè)重要環(huán)節(jié)。

當(dāng)然相對而言，芯片設(shè)計(jì)、制造這兩項(xiàng)是門檻高一點(diǎn)，附加價(jià)值也會(huì)高一點(diǎn)，而芯片封測在大家的心目中，是附加值最低的一個(gè)環(huán)節(jié)，也是門檻最低，難度最小的環(huán)節(jié)。

再加上前10大芯片封測企業(yè)中，中國其實(shí)有4大企業(yè)上榜，并且分別位列全球第3、4、6、7名，合計(jì)份額接近30%，所以很多人有一個(gè)觀點(diǎn)，那就是中國芯片封測水平，其實(shí)是全球頂尖的，并不落后。

但是近日，中國工程院院士孫凝暉指出，我國先進(jìn)封裝技術(shù)落后國際2-6年。

這句話一說出來，很多人不相信，覺得這位院士是不是不了解實(shí)情，在亂說了。畢竟目前國內(nèi)的芯片封測企業(yè)，其實(shí)已經(jīng)能夠封測3nm芯片，似乎和國際頂尖的芯片制造水平是一致的，連高通、英特爾、AMD等企業(yè)的芯片，都交給中國封測企業(yè)封測，怎么會(huì)落后這么多呢？

事實(shí)上，實(shí)際情況還真的就是如此。

先進(jìn)的芯片封裝技術(shù)，并不是指你能封測3nm或2nm芯片，真正的難點(diǎn)并不是以XX納米來計(jì)算的，而是一些封裝的技術(shù)。

比如臺積電的CoWos、CoPoS封裝，以及英特爾的EMIB-T，從行業(yè)來看，目前整個(gè)封裝是從2.5D過渡到3D的，這些封裝技術(shù)在復(fù)雜的芯片中，運(yùn)用越來越多的。

比如英偉達(dá)的AI芯片，全部使用臺積電的CoWos封裝技術(shù)，而中國封測企業(yè)就沒有這個(gè)技術(shù)。

從整個(gè)市場來看，國內(nèi)封裝市場聚焦的都是一些相對低端的封裝上，在AI芯片、HPC、HBM等封裝上面，差距是很明顯的。

雖然這些年來，中國封測企業(yè)在技術(shù)、份額上不斷突破，但要縮小與全球頂尖水平的差距，還要在技術(shù)研發(fā)、設(shè)備突破、材料創(chuàng)新等方面發(fā)力才行的。

很明顯，芯片封測水平如何，并不是僅僅將2nm或3nm的裸芯片，加上外殼，引腳這么簡單就能夠證明你行不行的。

目前摩爾定律在慢慢失效，越來越多的芯片，已經(jīng)走向了立體結(jié)構(gòu)，以及將多顆芯片封裝到一起，比如HBM、CPU、GPU、NPU等芯片封裝到一起的多功能芯片。

而這種復(fù)雜的、多結(jié)構(gòu)的、以及立體結(jié)構(gòu)的芯片，最后的難點(diǎn)就是各種先進(jìn)封裝技術(shù)。

所以大家別低估了芯片封裝這一塊，別以為我們只在芯片制造上落后于全球頂尖水平，事實(shí)上在封裝上也是有差距的，還有很大的提升空間。

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