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最近市場炒得火熱的芯片晶圓板封裝（CoWoP）技術，與現(xiàn)有的CoWoS封裝有什么區(qū)別？對供應鏈有何影響？商業(yè)化前景如何？

8月5日，據(jù)追風交易臺消息，摩根大通在最新研報中稱，英偉達正在探索一項革命性的芯片封裝技術CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB），該技術有望替代現(xiàn)有的CoWoS封裝方案。

摩根大通指出，這一技術變革將利用先進的高密度PCB（印刷電路板）技術，去除CoWoS封裝中的ABF基板層，直接將中介層與PCB連接。

該行還在研報中詳細分析了"CoWoP"技術對于供應鏈的影響，認為對ABF基板廠商顯然是負面消息，卻是PCB制造商的重大機遇。

雖然，摩根大通分析師認為該技術在中期內(nèi)商業(yè)化概率較低，主要受制于多重技術挑戰(zhàn)，但是該行在研報中強調：

無論CoWoP是否成功量產(chǎn)，英偉達都通過系統(tǒng)級方法繼續(xù)引領數(shù)據(jù)中心AI基礎設施創(chuàng)新。CoWoP技術原理與優(yōu)劣勢分析

研報稱，CoWoP代表Chip-on-Wafer-on-PCB技術路徑。在完成芯片-晶圓中介層制造步驟后，中介層（頂部帶芯片）直接安裝到PCB（也稱為平臺PCB）上，而不是像CoWoS工藝那樣綁定到ABF基板上。

該技術的潛在優(yōu)勢包括：

簡化系統(tǒng)結構，通過減少傳輸損耗提高數(shù)據(jù)傳輸效率，確保NVLink互連更高的范圍；更好的熱管理性能和更低的功耗；降低每代產(chǎn)品都在上升的基板成本；潛在減少一些后端測試步驟。

然而，摩根大通認為，這項技術存在關鍵挑戰(zhàn)。目前只有蘋果公司采用mSAP或SLPPCB技術，但其節(jié)距尺寸更大，PCB板面積更小，因此將此技術擴展到具有更高載流能力的大型GPU仍然是技術和運營挑戰(zhàn)。

供應鏈影響：IC基板負面沖擊顯著、PCB制造商的重大機遇

摩根大通在研報中稱，對ABF基板廠商而言，這顯然是負面消息，因為基板附加值可能會大幅減少或完全消失，更復雜、精細節(jié)距的信號路由將轉移到RDL層（中介層），而高端PCB層承擔封裝內(nèi)路由步驟。

摩根大通認為，對于PCB制造商，是一個重大機遇高速。研報指出：

“性能與主板高電流/電壓要求之間的權衡是阻止平臺PCB實現(xiàn)真正基板規(guī)格的主要挑戰(zhàn)。mSAP是在實現(xiàn)25/25微米更精細線/間距尺寸方面最佳的PCB技術，但仍遠低于ABF的亞10微米線/間距能力?！?/p>

因此，該行認為，具備先進mSAP能力以及基板/封裝工藝深度知識的公司將更有優(yōu)勢。

中期內(nèi)商業(yè)化概率較低，無礙英偉達創(chuàng)新領導力持續(xù)強化

摩根大通分析師認為，由于多重技術挑戰(zhàn)，CoWoP中期內(nèi)商業(yè)化的概率仍然較低。

歷史上，更高的I/O數(shù)量和更精細的線/間距尺寸（CoWoS-L降至5微米，CoWoS-S約10微米）需要遷移到ABF基板。對于AI加速器，即使ABF基板也預計會在5/5線/間距尺寸之后失效。

PCB技術即使使用mSAP，目前也只能達到20-30微米的線/間距寬度，與期望性能相比仍存在較大差距。

據(jù)追風交易臺此前消息，大摩也表示，當前高密度互連(HDI)PCB的L/S為40/50微米，即使是用于iPhone主板的類基板PCB(SLP)也僅達到20/35微米，要將PCB的L/S從20/35微米縮小到10/10微米以下存在顯著技術難度。

此外，摩根大通認為，英偉達目前確定的路線圖（向CoWoS-L、CoPoS發(fā)展，在CordeliaBoard中采用GPU插座）與CoWoP追求的新方向也相當矛盾。

供應鏈研究顯示，高附加值封裝生態(tài)系統(tǒng)參與者（如臺積電）參與度不高，主要集中在PCB廠商和特定的OSAT廠商，這降低了商業(yè)化的可能性。

不過，摩根大通指出，無論CoWoP是否成功量產(chǎn)，英偉達都通過系統(tǒng)級方法繼續(xù)引領數(shù)據(jù)中心AI基礎設施創(chuàng)新。

“在半導體領域，英偉達率先推出CoWoS-L封裝，探索CoWoP和CoPoS封裝技術，并可能領導大規(guī)模CPO（共封裝光學）應用和1.6T光學技術發(fā)展。”

摩根大通稱，這種持續(xù)創(chuàng)新能力預計將使英偉達在未來數(shù)年內(nèi)保持GPU領域的領先優(yōu)勢，并在與ASIC競爭中占據(jù)主導地位。