林文彥

本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

EUV加速器現(xiàn)已投入運營，將專注于推進EUV光刻技術。

美國非營利實體Natcast宣布在紐約州隆重啟動一個新的極紫外（EUV）光刻研發(fā)中心。

這個名為“美國芯片法案極紫外加速器（CHIPSforAmericaExtremeUltraviolet(EUV)Accelerator，簡稱EUV加速器）”的研發(fā)中心已于去年正式公布。EUV加速器現(xiàn)已投入運營，將專注于推進EUV光刻技術，這項技術對于制造5納米及更先進芯片至關重要。

據(jù)報道，EUV加速器由根據(jù)《芯片與科學法案》成立的非營利實體Natcast運營。Natcast還運營著國家半導體技術中心（NSTC），該中心是一個致力于美國半導體研發(fā)的公私合作聯(lián)盟。

EUV加速器位于紐約州奧爾巴尼的奧爾巴尼納米技術中心（AlbanyNanoTechComplex）。奧爾巴尼納米技術中心成立于1997年，是一個大型研發(fā)中心。如今，這個占地165萬平方英尺的研發(fā)中心擁有超過200億美元的高科技投資，現(xiàn)場約有3000個研發(fā)崗位。

在該中心，研究人員目前正在開發(fā)下一代邏輯工藝、EUV光刻及其他技術。包括IBM、應用材料（AppliedMaterials）和東京電子（TEL）在內(nèi)的多家公司都在該基地開展各種研發(fā)活動。

紐約研究、經(jīng)濟發(fā)展、技術、工程與科學中心（NYCREATES），一個非營利組織，負責管理和運營奧爾巴尼納米技術中心。

現(xiàn)在，奧爾巴尼納米技術中心正式成為EUV加速器的所在地。這個光刻研發(fā)中心將使來自Natcast、NSTC成員組織和NYCREATES的研究人員能夠開展當前和未來的EUV技術研究。EUV加速器的主要能力包括：

獲得EUV光刻工具和下一代研發(fā)能力，包括高數(shù)值孔徑（NA）EUV系統(tǒng)，目前提供標準NAEUV工具，預計高NAEUV工具將于2026年到位。

為工業(yè)、學術和政府合作伙伴提供協(xié)作空間和資源，以推動技術創(chuàng)新。

專門的現(xiàn)場Natcast辦公室和工作人員，以支持Natcast和NSTC成員研究人員。

支持提供、培養(yǎng)和發(fā)展優(yōu)秀人才的項目。

通過在EUV加速器和所有NSTC設施內(nèi)營造開放、協(xié)作的研發(fā)環(huán)境，促進NSTC成員的廣泛參與。

Natcast首席執(zhí)行官迪爾德麗·漢福德（DeirdreHanford）表示：“EUV加速器的盛大開幕標志著Natcast、NSTC和整個美國半導體生態(tài)系統(tǒng)的一個重要里程碑，這座最先進的設施彰顯了我們致力于在美國開發(fā)和推進下一代半導體技術的承諾?！?/p>

Natcast目前正在接受EUV加速器的項目提案。

xLight，重構(gòu)EUV光源

4月13日，英特爾前CEO帕特·基辛格（PatGelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執(zhí)行董事長，xLight官網(wǎng)上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外光刻機開發(fā)基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統(tǒng)的初創(chuàng)公司。

xLight雖然規(guī)模很小，但其團隊在光刻和加速器技術領域擁有多年的經(jīng)驗，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學家GennadyStupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學技術獎（PAST）的兩名獲獎者之一。

xLight聲稱目前擁有一種功率超過1000瓦的LPP光源，并且將在2028年準備好用于商業(yè)應用。基辛格表示，xLight的技術將每片晶圓的成本降低了大約50%，并將資本和運營成本降低了3倍，這是制造效率的重大飛躍。這可能意味著與ASML今天的機器相比，基于FEL的光刻工具成本將大幅降低。

此外，xLight并不打算取代ASML的EUV光刻工具，而是生產(chǎn)一種“將在2028年連接到ASML掃描儀并運行晶圓”的LPP光源。這可能意味著xLight的LPP光源將與現(xiàn)有的ASML工具兼容，不過與下一代High-NAEUV工具的兼容性尚不確定。

目前光刻機巨頭ASML的EUV光刻機所采用的是EUV光源系統(tǒng)，正是基于被稱為激光等離子體EUV光源（LPP），其原理是通過30kW功率的二氧化碳激光器轟擊以每秒50000滴的速度從噴嘴內(nèi)噴出的錫金屬液滴，每滴兩次轟擊（即每秒需要10萬個激光脈沖），將它們蒸發(fā)成等離子體，通過高價錫離子能級間的躍遷獲得13.5nm波長的EUV光線。由于EUV-LPP系統(tǒng)需要依靠功率強大高能激光脈沖來蒸發(fā)微小的錫滴，使得其整個光源系統(tǒng)不僅龐大復雜，且功耗巨大，所產(chǎn)生的EUV光源的功率也有限。ASML的TwinscanNXE:3600D配備了250瓦的LPP光源，而NXE:3800E則配備了約300瓦的光源。盡管ASML在研究環(huán)境中已經(jīng)展示了超過500瓦的EUV光源功率，但這些更高的功率水平尚未在商業(yè)部署的系統(tǒng)中實現(xiàn)。

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