在芯片制造中,光刻機(jī)是最核心的設(shè)備。
而EUV則是制造7nm以下芯片必不可少的設(shè)備,且全球只有ASML一家能夠制造,美國(guó)還不允許它賣(mài)給中國(guó)企業(yè)。
所以制造出國(guó)產(chǎn)EUV就相當(dāng)重要了,因?yàn)槿绻麤](méi)有國(guó)產(chǎn)EUV,我們的芯片工藝要進(jìn)入7nm以下,幾乎不太可能。
也許能夠多重曝光,用浸潤(rùn)式光刻機(jī),也能夠制造出7nm以下芯片,但多重曝光會(huì)顯著降低良率,提高成本,實(shí)際上是無(wú)法大規(guī)模量產(chǎn)商業(yè)化的。
目前ASML的EUV光刻機(jī),其采用的方式是LPP路線(xiàn),即用高能激光器轟擊錫滴產(chǎn)生等離子體,釋放出13.5nm波長(zhǎng)的光源,也就是極紫外線(xiàn)。
在這一條路線(xiàn)上,ASML綁定了蔡司、Cymer等等核心企業(yè),這些核心企業(yè)是全球唯一,無(wú)可替代,可以說(shuō)ASML斷了其它很多企業(yè)的EUV之路。
所以說(shuō),如果我們要研發(fā)EUV光刻機(jī),更好的辦法是彎道超車(chē),或者換道超車(chē)。
而近日,有消息指出,目前國(guó)內(nèi)的科學(xué)家們其實(shí)發(fā)現(xiàn),EUV的下一代,可能是采用更高級(jí)的光源,比如采用6.7nm或4.4nm的波長(zhǎng)光線(xiàn)。
在光刻中,如果光線(xiàn)波長(zhǎng)越小,那么其分辨率是越高,越是能夠制造出更先進(jìn)的芯片的。
科學(xué)家們認(rèn)為,如果能夠采用6.7nm和4.4nm的光線(xiàn),那么其精度比當(dāng)前13.5nm波長(zhǎng)高很多,能夠制造的芯片工藝也會(huì)先進(jìn)很多。
目前中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)在嘗試用釓代替錫為材料,激發(fā)出6.7nm波長(zhǎng)的光線(xiàn)來(lái)。而這種光刻機(jī)的透鏡,則采用鑭和硼。
這樣我們就能夠繞開(kāi)ASML設(shè)的坎,繞開(kāi)蔡司、Cymer等等核心企業(yè),走出一條屬于中國(guó)的光刻機(jī)之路來(lái)。
不過(guò),困難也有很多,比如波長(zhǎng)較短時(shí),反射率較差,要收集這些光線(xiàn),相當(dāng)困難。另外波長(zhǎng)更短,能量分布在更少的光子上,出錯(cuò)的幾率也會(huì)增加。
但不可否認(rèn)的是,如果這一切真的實(shí)現(xiàn)了,那么國(guó)產(chǎn)光刻機(jī),將跳過(guò)EUV,進(jìn)入更高一個(gè)層次,那么卡住我們的光刻機(jī),將再也不是問(wèn)題了,反而全球的芯片廠(chǎng),都要找我們買(mǎi)光刻機(jī)了。
當(dāng)然,技術(shù)路線(xiàn)從理論到商用,中間會(huì)有一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程,大家要有耐心一點(diǎn),同時(shí)最終能不能商用落地,也不一定,但必須要不斷的研究,才有可能最終商用,所以大家多些支持鼓勵(lì),少些嘲諷,你覺(jué)得呢?
經(jīng)典!《胡適四十自述》不容錯(cuò)過(guò),不看太可惜!
第四條講標(biāo)點(diǎn)符號(hào)的重要也是學(xué)外國(guó)文得來(lái)的教訓(xùn);我那幾年想出了種種標(biāo)點(diǎn)的符號(hào),一九一五年六月為《科學(xué)》作了一篇《論句讀及文字符號(hào)》的長(zhǎng)文,約有一萬(wàn)字,凡規(guī)定符號(hào)十種,在引論中我討論沒(méi)有符號(hào)的三大弊:一為意義不能確定,容易誤解,二為無(wú)以表示文法上的關(guān)系,三為教育不能普及。我在日記里自跋云:吾之有意于句讀及符號(hào)之學(xué)也 最可悲的一個(gè)例子是林長(zhǎng)民先生,他答應(yīng)了寫(xiě)他的五十自述作他五十歲生日的紀(jì)念;到了生日那一天,他對(duì)我說(shuō):“適之,今年實(shí)在太忙了,自述寫(xiě)不成了;明年生日我一定補(bǔ)寫(xiě)出來(lái)_?!辈恍宜麘c祝了五十歲的生日之后,不上半年,他就死在郭松齡的戰(zhàn)役里,他那富于浪漫意味的一生就成了一部人間永不能讀的逸書(shū)了!梁后面會(huì)介紹。胡適《四十自述》:從卒子到將軍的文化革命