寒天音

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

專家指出，韓美半導(dǎo)體2029年的混合鍵合時(shí)間表“過于保守”。

韓美半導(dǎo)體已開始量產(chǎn)其用于HBM4的熱壓鍵合機(jī)（TCB），旨在瞄準(zhǔn)由AI工作負(fù)載驅(qū)動(dòng)的快速擴(kuò)張的高帶寬內(nèi)存市場。然而，其混合鍵合路線圖的延遲引發(fā)了批評(píng)，認(rèn)為其落后于行業(yè)趨勢。

TCB4，瞄準(zhǔn)HBM4需求激增

隨著SK海力士、三星電子和美光計(jì)劃于2025年末提升HBM4的產(chǎn)量，韓美的升級(jí)版TCBonder4進(jìn)入量產(chǎn)，成為一種經(jīng)濟(jì)高效、高精度的工具。TCB4于2024年5月推出原型機(jī)，目前已準(zhǔn)備好批量出貨，并得到了完善的生產(chǎn)線的支持。

HBM4的性能超越HBM3E，數(shù)據(jù)傳輸速度提升60%，功耗降低30%。它支持多達(dá)16層的堆疊，每die容量從24Gb擴(kuò)展到32Gb。TSVI/O數(shù)量翻倍至2,048個(gè)，顯著提升了內(nèi)存到處理器的帶寬。

TCB4在鍵合精度和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性方面進(jìn)行了重大升級(jí)，以應(yīng)對(duì)HBM4的復(fù)雜堆疊。軟件也得到了改進(jìn)，以提供更好的用戶體驗(yàn)。韓美沒有采用無助焊劑鍵合，而是改進(jìn)了現(xiàn)有架構(gòu)，以降低成本并加速市場進(jìn)入。

據(jù)Hellot.net報(bào)道，韓美組建了一個(gè)名為“銀鳳凰”（SilverPhoenix）的專門團(tuán)隊(duì)來支持TCB4的推出，該團(tuán)隊(duì)由50多名專家組成，專注于客戶支持、維護(hù)和下一代產(chǎn)品開發(fā)。

混合鍵合路線圖，太慢了？

盡管韓美目前的TCB戰(zhàn)略使其能夠應(yīng)對(duì)HBM4和HBM5的即時(shí)需求，但其針對(duì)無助焊劑和混合鍵合工具的長期路線圖引發(fā)了擔(dān)憂。根據(jù)其公布的日程：

用于HBM5的TCB5將于2027年推出

用于HBM6的無助焊劑TCB將于2028年推出

用于HBM7的混合鍵合機(jī)將于2029年推出

行業(yè)分析師警告稱，韓美存在落后的風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)槠浜商m競爭對(duì)手BESemiconductorIndustries(Besi)已經(jīng)從三家主要HBM供應(yīng)商中的兩家獲得了混合鍵合機(jī)訂單——這清楚地表明混合鍵合的轉(zhuǎn)型正在加速。

混合鍵合主要用于實(shí)現(xiàn)不同芯片之間的高密度、高性能互聯(lián)。這種技術(shù)的關(guān)鍵特征是通過直接銅對(duì)銅的連接方式取代傳統(tǒng)的凸點(diǎn)或焊球（bump）互連，從而能夠在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)超精細(xì)間距的堆疊和封裝，達(dá)到三維集成的目的。

在混合鍵合工藝中，兩個(gè)或多個(gè)芯片的金屬層（通常是銅層）被精密對(duì)準(zhǔn)并直接壓合在一起，形成直接電學(xué)接觸。為了保證良好的連接效果，需要在芯片表面進(jìn)行特殊的處理，例如沉積一層薄且均勻的介電材料（如SiO2或SiCN），并在其上制備出微米甚至納米級(jí)別的銅墊和通孔（TSV）。這些銅墊和通孔將芯片內(nèi)部的電路與外部相連，使得數(shù)據(jù)傳輸速度更快、功耗更低，同時(shí)極大地提升了芯片的集成度。

Besi的2025年第一季度報(bào)告證實(shí)了與HBM4相關(guān)的混合鍵合機(jī)訂單，標(biāo)志著從邏輯到內(nèi)存應(yīng)用的轉(zhuǎn)變。據(jù)報(bào)道，Besi和韓國的韓華半導(dǎo)體都在競相開發(fā)無助焊劑TCB工具，旨在從SK海力士等主要廠商那里獲得合同。

TheElec報(bào)道稱，Besi和ASMPT也正在量產(chǎn)無助焊劑鍵合工具，據(jù)稱美光已經(jīng)收到了來自Besi的此類設(shè)備。

一位半導(dǎo)體封裝專家在Greened.kr上表示，韓美2029年的混合鍵合時(shí)間表“過于保守”，并指出全球競爭對(duì)手已經(jīng)在使用該技術(shù)。

韓美半導(dǎo)體，戰(zhàn)略性延遲？

韓美可能正在刻意放慢腳步。今年1月，該公司在仁川動(dòng)工建設(shè)其第七工廠，該工廠此后已被重新歸類為僅用于混合鍵合的工廠。該設(shè)施將作為未來鍵合平臺(tái)的研發(fā)和客戶驗(yàn)證中心。

一位業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，延遲可能是戰(zhàn)略性的，因?yàn)镴EDEC放寬了HBM4堆疊高度標(biāo)準(zhǔn)，這給了內(nèi)存制造商延長使用TCB方法的余地，為韓美贏得了優(yōu)化性能和降低成本的時(shí)間。

即便如此，如果內(nèi)存制造商加速采用混合鍵合來解決未來HBM節(jié)點(diǎn)中的散熱和堆疊挑戰(zhàn)，韓美對(duì)升級(jí)后的傳統(tǒng)技術(shù)的依賴可能會(huì)損害其長期優(yōu)勢。

韓美半導(dǎo)體成立于1980年，長期以來專注于半導(dǎo)體后道工藝（封裝）設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)。其核心產(chǎn)品涵蓋了熱壓鍵合、晶圓級(jí)封裝設(shè)備、引線鍵合機(jī)等，尤其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，韓美半導(dǎo)體以其在垂直堆疊和精密連接方面的技術(shù)實(shí)力而聞名，已成為全球重要的供應(yīng)商之一，服務(wù)于各大存儲(chǔ)器廠商和晶圓代工廠。

BeSemiconductor是全球半導(dǎo)體和電子行業(yè)半導(dǎo)體組裝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商，以低擁有成本提供高水平的精度、生產(chǎn)力和可靠性。

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