新款UFS4.1閃存采用了鎧俠BiCS8FLASH3D閃存芯片,結合開創(chuàng)性的CBA技術,集成在JEDEC標準封裝中。
鎧俠宣布開始出樣UFS4.1閃存,提供了256GB、512GB和1TB容量,支持主機啟動的碎片整理和寫入緩沖區(qū)大小調整等先進特性。新產品專為滿足下一代移動應用的需求而設計,包括具備設備內置AI的高級智能手機,采用了小型BGA封裝,可提供更高的性能和更高的能效。
新款UFS4.1閃存采用了鎧俠BiCS8FLASH3D閃存芯片,結合開創(chuàng)性的CBA(CMOSdirectlyBondedtoArray)技術,提供了突破性的性能、效率和容量,集成在JEDEC標準封裝中。
主要功能包括:
提供了256GB、512GB和1TB容量可選。
相比上一代產品,512GB和1TB的隨機寫入性能提升了約30%,隨機讀取性能分別提升了約45%和35%。
相比上一代產品,在能效方面512GB和1TB的讀取速度提升了約15%,讀取速度提升了約20%。
主機啟動碎片整理支持延遲垃圾收集,以便在關鍵時刻實現不間斷的快速性能。
WriteBooster緩沖區(qū)大小調整為最佳性能,提供了更好的靈活性。
支持UFSVer.4.1標準。
與上一代產品相比,1TB型號的封裝高度降低。
使用鎧俠BiCS8FLASH3D閃存芯片。
鎧俠表示,新款UFS4.1閃存融合了速度和低功耗,旨在增強用戶體驗,即實現更快的下載和更強的性能。
SK海力士的UFS4.1
今年5月,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1TbTLC4DNAND閃存的移動端解決方案產品UFS4.1。該產品具備全球領先的順序讀取性能與低功耗特性,專為端側AI進行優(yōu)化;產品厚度減薄15%,適用于超薄旗艦智能手機。
新品較上一代基于238層NAND閃存的產品能效提升了7%。同時,成功產品厚度從1mm減薄至0.85mm,使其能夠適配超薄智能手機。支持第四代UFS產品的順序讀取峰值,數據傳輸速率高達4300MB/s。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度,相較上一代產品分別提升了15%與40%,達到現存UFS4.1產品中全球領先水平。
該產品提供512GB(千兆字節(jié))和1TB(太字節(jié))兩種容量規(guī)格。公司計劃于今年內向客戶交付樣品以進行驗證流程,并將于明年第一季度正式進入量產階段。
SK海力士表示:“為了在移動設備上實現端側(On-device)AI的穩(wěn)定運行,所搭載的NAND閃存解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負載優(yōu)化的UFS4.1產品,公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位?!?/p>
存儲新標準UFS4.1
今年年初,JEDEC固態(tài)技術協(xié)會推出通用閃存標準UFS4.1(JESD220G),同時發(fā)布了配套的JESD223FUFS主機控制器接口(UFSHCI)4.1標準更新。
據介紹,UFS4.1采用MIPIAlliance的M-PHY5.0和UniPro2.0規(guī)范,實現UFS接口帶寬翻倍,理論讀寫速度最高可達約4.2GB/s。UFS4.1專為需要高性能和低功耗的移動應用和計算系統(tǒng)而開發(fā),與早期版本的標準相比,不僅可以提供更快的數據訪問速度和更高的性能,同時保持了與UFS4.0的硬件兼容性。
UFS4.1和UFSHCI4.1相對于先前版本進行了多方面的改進,例如FS4.1引入了更高效的內存管理和新功能來提高系統(tǒng)吞吐量,并通過使用RPMB認證以防止未經授權的數據訪問;此外,UFS4.1還提高了存儲邏輯單元的精度,為QLCNAND的實現奠定了基礎。
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