上海市民稱出現(xiàn)「蟬災(zāi)」,晚上被蟬鳴吵得無法入睡,還被蟬尿困擾,為什么今年蟬這么多?蟬尿?qū)θ擞形:幔?/a>
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
新版JESD209-6LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步,在性能、能效和安全性方面均有提升。
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布JESD209-6,即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率6(LPDDR6)標(biāo)準(zhǔn)。JESD209-6旨在顯著提升多種應(yīng)用場景(包括移動(dòng)設(shè)備和人工智能)的內(nèi)存速度與效率。JEDEC稱,新版JESD209-6LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步,在性能、能效和安全性方面均有提升。
高性能
為支持人工智能應(yīng)用及其他高性能工作負(fù)載,LPDDR6采用雙子通道架構(gòu),在保持32字節(jié)小訪問粒度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)靈活操作。此外,LPDDR6的主要特性還包括:
每顆芯片含2個(gè)子通道,每個(gè)子通道有12條數(shù)據(jù)信號線(DQs),以優(yōu)化通道性能。
每個(gè)子通道包含4條命令/地址(CA)信號,經(jīng)優(yōu)化減少焊球數(shù)量并提高數(shù)據(jù)訪問速度。
靜態(tài)效率模式,旨在支持大容量內(nèi)存配置并最大化存儲體資源利用率。
靈活的數(shù)據(jù)訪問,支持實(shí)時(shí)突發(fā)長度控制,可實(shí)現(xiàn)32B和64B訪問。
動(dòng)態(tài)寫入NT-ODT(非目標(biāo)片上終端),使內(nèi)存能根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整ODT,提升信號完整性。
能效
為滿足不斷增長的能效需求,與LPDDR5相比,LPDDR6采用更低電壓和低功耗的VDD2供電,并強(qiáng)制要求VDD2采用雙電源設(shè)計(jì)。其他節(jié)能特性包括:
采用交替時(shí)鐘命令輸入,提升性能與效率。
低功耗動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)(DVFSL),在低頻運(yùn)行時(shí)降低VDD2電壓,減少功耗。
動(dòng)態(tài)效率模式,在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口。
支持部分自刷新和主動(dòng)刷新,降低刷新功耗。
安全性與可靠性
相較于上一版本標(biāo)準(zhǔn),安全性和可靠性方面的改進(jìn)包括:
每行激活計(jì)數(shù)(PRAC),支持DRAM數(shù)據(jù)完整性。
定義隔離元模式,通過為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域,提升整體系統(tǒng)可靠性。
支持可編程鏈路保護(hù)方案和片上糾錯(cuò)碼(ECC)。
能夠支持命令/地址(CA)奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試(MBIST),增強(qiáng)錯(cuò)誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。
日前,三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門副董事長全永鉉宣布,三星將于今年下半年通過第六代“1cDRAM”工藝量產(chǎn)下一代LPDDR6內(nèi)存,并計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。
據(jù)悉,1cDRAM是DRAM制造的第六代工藝節(jié)點(diǎn),相比前代技術(shù),其晶體管密度更高、能效比更優(yōu)。三星通過“設(shè)計(jì)變更”戰(zhàn)略,將1cDRAM的冷態(tài)良率提升至50%,熱態(tài)良率達(dá)60%-70%,并計(jì)劃在韓國華城工廠建設(shè)新生產(chǎn)線,擴(kuò)大產(chǎn)能。LPDDR6內(nèi)存基于1c工藝開發(fā),帶寬和功耗表現(xiàn)顯著提升,可滿足AI模型訓(xùn)練、移動(dòng)終端算力升級等場景對內(nèi)存性能的嚴(yán)苛需求。
據(jù)行業(yè)消息,高通下一代旗艦芯片“驍龍8EliteGen2”將首發(fā)支持LPDDR6內(nèi)存,并計(jì)劃于今年9月23日的驍龍峰會上亮相。
隨著AI應(yīng)用向終端設(shè)備下沉,LPDDR6內(nèi)存的帶寬與能效成為關(guān)鍵競爭力。三星計(jì)劃通過向高通等廠商供貨,進(jìn)一步滲透智能手機(jī)、筆記本電腦及AI服務(wù)器市場,強(qiáng)化其技術(shù)壁壘。此外,三星還在HBM4等高端存儲產(chǎn)品中部署1cDRAM技術(shù),構(gòu)建覆蓋AI全場景的內(nèi)存解決方案。
目前,三星已制定1cDRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)最早于今年年底完成韓國華城工廠生產(chǎn)線建設(shè)。此外,該公司正同步開發(fā)DDR與LPDDR用1cDRAM,打破傳統(tǒng)開發(fā)順序,加速商業(yè)化進(jìn)程。
LPDDR6將取代現(xiàn)有的LPDDR5內(nèi)存及其衍生版本,而LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)早在2019年就已經(jīng)發(fā)布。距離LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)問世已有將近五年時(shí)間,在這段時(shí)間里,三星和美光推出了LPDDR5x,SK海力士也推出了LPDDR5T,其傳輸速率高達(dá)9.6Gbps。這些低功耗的DRAM內(nèi)存非常適合智能手機(jī)、輕薄型設(shè)備甚至筆記本電腦/迷你臺式機(jī)等強(qiáng)調(diào)低功耗的設(shè)備。
采用LPDDR5(X/T)規(guī)格的內(nèi)存模組正越來越多地出現(xiàn)在各種產(chǎn)品中。例如,LPCAMM2模組憑借其小巧的模塊化外形尺寸、更大的容量和更高的可升級性,將徹底改變PC內(nèi)存市場。
此外,最近上市的LPCAMM2模組采用了LPDDR5(X/T)的變種,由于其小巧的模塊化外形尺寸,能夠提供更大的容量和可升級性,將改變PC市場格局。
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