商業(yè)
短短8集吻戲床戲都安排上了
目前已準備好批量出貨，
楊亮
4小時前
“韓國”HBM設：備龍頭 ||被批落后
2025-07-29 15:39:37
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本文由半導體產業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
專家指出，韓美半導體2029年的混合鍵合時間表“過于保守”。
韓美半導體已開始量產其用于HBM4的熱壓鍵合機（TCB），旨在瞄準由AI工作負載驅動的快速擴張的高帶寬內存市場。然而，其混合鍵合路線圖的延遲引發(fā)了批評，認為其落后于行業(yè)趨勢。
TCB4，瞄準HBM4需求激增
隨著SK海力士、三星電子和美光計劃于2025年末提升HBM4的產量，韓美的升級版TCBonder4進入量產，成為一種經濟高效、高精度的工具。TCB4于2024年5月推出原型機，目前已準備好批量出貨，并得到了完善的生產線的支持。
HBM4的性能超越HBM3E，數據傳輸速度提升60%，功耗降低30%。它支持多達16層的堆疊，每die容量從24Gb擴展到32Gb。TSVI/O數量翻倍至2,048個，顯著提升了內存到處理器的帶寬。
TCB4在鍵合精度和結構穩(wěn)定性方面進行了重大升級，以應對HBM4的復雜堆疊。軟件也得到了改進，以提供更好的用戶體驗。韓美沒有采用無助焊劑鍵合，而是改進了現(xiàn)有架構，以降低成本并加速市場進入。
據Hellot.net報道，韓美組建了一個名為“銀鳳凰”（SilverPhoenix）的專門團隊來支持TCB4的推出，該團隊由50多名專家組成，專注于客戶支持、維護和下一代產品開發(fā)。
混合鍵合路線圖，太慢了？
盡管韓美目前的TCB戰(zhàn)略使其能夠應對HBM4和HBM5的即時需求，但其針對無助焊劑和混合鍵合工具的長期路線圖引發(fā)了擔憂。根據其公布的日程：
用于HBM5的TCB5將于2027年推出
用于HBM6的無助焊劑TCB將于2028年推出
用于HBM7的混合鍵合機將于2029年推出
行業(yè)分析師警告稱，韓美存在落后的風險，因為其荷蘭競爭對手BESemiconductorIndustries(Besi)已經從三家主要HBM供應商中的兩家獲得了混合鍵合機訂單——這清楚地表明混合鍵合的轉型正在加速。
混合鍵合主要用于實現(xiàn)不同芯片之間的高密度、高性能互聯(lián)。這種技術的關鍵特征是通過直接銅對銅的連接方式取代傳統(tǒng)的凸點或焊球（bump）互連，從而能夠在極小的空間內實現(xiàn)超精細間距的堆疊和封裝，達到三維集成的目的。
在混合鍵合工藝中，兩個或多個芯片的金屬層（通常是銅層）被精密對準并直接壓合在一起，形成直接電學接觸。為了保證良好的連接效果，需要在芯片表面進行特殊的處理，例如沉積一層薄且均勻的介電材料（如SiO2或SiCN），并在其上制備出微米甚至納米級別的銅墊和通孔（TSV）。這些銅墊和通孔將芯片內部的電路與外部相連，使得數據傳輸速度更快、功耗更低，同時極大地提升了芯片的集成度。
Besi的2025年第一季度報告證實了與HBM4相關的混合鍵合機訂單，標志著從邏輯到內存應用的轉變。據報道，Besi和韓國的韓華半導體都在競相開發(fā)無助焊劑TCB工具，旨在從SK海力士等主要廠商那里獲得合同。
TheElec報道稱，Besi和ASMPT也正在量產無助焊劑鍵合工具，據稱美光已經收到了來自Besi的此類設備。
一位半導體封裝專家在Greened.kr上表示，韓美2029年的混合鍵合時間表“過于保守”，并指出全球競爭對手已經在使用該技術。
韓美半導體，戰(zhàn)略性延遲？
韓美可能正在刻意放慢腳步。今年1月，該公司在仁川動工建設其第七工廠，該工廠此后已被重新歸類為僅用于混合鍵合的工廠。該設施將作為未來鍵合平臺的研發(fā)和客戶驗證中心。
一位業(yè)內人士認為，延遲可能是戰(zhàn)略性的，因為JEDEC放寬了HBM4堆疊高度標準，這給了內存制造商延長使用TCB方法的余地，為韓美贏得了優(yōu)化性能和降低成本的時間。
即便如此，如果內存制造商加速采用混合鍵合來解決未來HBM節(jié)點中的散熱和堆疊挑戰(zhàn)，韓美對升級后的傳統(tǒng)技術的依賴可能會損害其長期優(yōu)勢。
韓美半導體成立于1980年，長期以來專注于半導體后道工藝（封裝）設備的研發(fā)與生產。其核心產品涵蓋了熱壓鍵合、晶圓級封裝設備、引線鍵合機等，尤其在先進封裝領域，韓美半導體以其在垂直堆疊和精密連接方面的技術實力而聞名，已成為全球重要的供應商之一，服務于各大存儲器廠商和晶圓代工廠。
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