在芯片制造中，光刻機是最核心的設備。

而EUV則是制造7nm以下芯片必不可少的設備，且全球只有ASML一家能夠制造，美國還不允許它賣給中國企業(yè)。

所以制造出國產EUV就相當重要了，因為如果沒有國產EUV，我們的芯片工藝要進入7nm以下，幾乎不太可能。

也許能夠多重曝光，用浸潤式光刻機，也能夠制造出7nm以下芯片，但多重曝光會顯著降低良率，提高成本，實際上是無法大規(guī)模量產商業(yè)化的。

目前ASML的EUV光刻機，其采用的方式是LPP路線，即用高能激光器轟擊錫滴產生等離子體，釋放出13.5nm波長的光源，也就是極紫外線。

在這一條路線上，ASML綁定了蔡司、Cymer等等核心企業(yè)，這些核心企業(yè)是全球唯一，無可替代，可以說ASML斷了其它很多企業(yè)的EUV之路。

所以說，如果我們要研發(fā)EUV光刻機，更好的辦法是彎道超車，或者換道超車。

而近日，有消息指出，目前國內的科學家們其實發(fā)現，EUV的下一代，可能是采用更高級的光源，比如采用6.7nm或4.4nm的波長光線。

在光刻中，如果光線波長越小，那么其分辨率是越高，越是能夠制造出更先進的芯片的。

科學家們認為，如果能夠采用6.7nm和4.4nm的光線，那么其精度比當前13.5nm波長高很多，能夠制造的芯片工藝也會先進很多。

目前中國科學家已經在嘗試用釓代替錫為材料，激發(fā)出6.7nm波長的光線來。而這種光刻機的透鏡，則采用鑭和硼。

這樣我們就能夠繞開ASML設的坎，繞開蔡司、Cymer等等核心企業(yè)，走出一條屬于中國的光刻機之路來。

不過，困難也有很多，比如波長較短時，反射率較差，要收集這些光線，相當困難。另外波長更短，能量分布在更少的光子上，出錯的幾率也會增加。

但不可否認的是，如果這一切真的實現了，那么國產光刻機，將跳過EUV,進入更高一個層次，那么卡住我們的光刻機，將再也不是問題了，反而全球的芯片廠，都要找我們買光刻機了。

當然，技術路線從理論到商用，中間會有一個漫長的過程，大家要有耐心一點，同時最終能不能商用落地，也不一定，但必須要不斷的研究，才有可能最終商用，所以大家多些支持鼓勵，少些嘲諷，你覺得呢？

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