本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
三星遲遲未獲英偉達(dá)認(rèn)證之際,美光正在加速布局HBM市場。
美光科技正在競爭激烈的高帶寬內(nèi)存(HBM)市場加大投入,憑借近期取得的成果擴(kuò)大產(chǎn)能,以搶占AI平臺推動下不斷增長的需求。
在第三財(cái)季財(cái)報(bào)電話會議上,這家美國芯片制造商回應(yīng)了分析師關(guān)于其HBM戰(zhàn)略的尖銳問題,重點(diǎn)關(guān)注當(dāng)前生產(chǎn)良率、客戶樣品出貨、認(rèn)證時(shí)間表以及如何擴(kuò)大規(guī)模以實(shí)現(xiàn)未來增長。
此前有消息稱,美光12層36GB的HBM3E芯片已通過英偉達(dá)的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)并進(jìn)入量產(chǎn)階段,該消息引發(fā)了市場的高度關(guān)注。這一里程碑使美光成為英偉達(dá)即將推出的B300AI加速器的第二家獲得下一代HBM3E內(nèi)存認(rèn)證的供應(yīng)商,與韓國的SK海力士一同躋身該“精英陣營”。
美光與SK海力士的進(jìn)展,讓三星電子的處境愈發(fā)引人關(guān)注——三星的HBM3E芯片尚未獲得英偉達(dá)的認(rèn)證。這一延遲引發(fā)了業(yè)內(nèi)擔(dān)憂:三星可能在為下一波AI計(jì)算提供動力的關(guān)鍵領(lǐng)域落后于人。
三星進(jìn)度滯后,美光展現(xiàn)信心
由于三星的HBM芯片遲遲未能獲取英偉達(dá)認(rèn)證,分析師向美光追問:如果其競爭對手進(jìn)一步落后,美光能否提高產(chǎn)能?
美光的回應(yīng)透露出信心,稱其12層HBM3E的產(chǎn)能在產(chǎn)量和芯片良率上,比上一代8層產(chǎn)品的增長速度更快、效率更高。該公司表示,在制造表現(xiàn)、良率提升和客戶關(guān)系等多個(gè)方面都有扎實(shí)的執(zhí)行成果。這種良好勢頭的關(guān)鍵在于美光采用了先進(jìn)的1-beta(1?)DRAM工藝,該工藝既用于HBM3E芯片,也為下一代HBM4芯片提供支持。這一工藝不僅提升了效率,還讓美光能夠根據(jù)需要靈活調(diào)整不同產(chǎn)品的產(chǎn)能分配。
為滿足日益增長的需求,美光正在擴(kuò)大后端業(yè)務(wù),在新加坡,美光的集成式組裝和封裝生產(chǎn)線正在建設(shè)中。新設(shè)施預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。與此同時(shí),美光稱其2025年的HBM供應(yīng)量已全部售罄。
美光提前布局,HBM4蓄勢待發(fā)
隨著對AI加速器的需求持續(xù)飆升,美光正與客戶緊密配合,使內(nèi)存供應(yīng)與下一代GPU和ASIC架構(gòu)相匹配。該公司已開始向多家合作伙伴提供HBM4芯片樣品,并表示關(guān)于性能和技術(shù)規(guī)格的早期反饋極為積極。
美光預(yù)計(jì),待通過客戶認(rèn)證后,HBM4芯片將于2026年初進(jìn)入量產(chǎn)階段。這些芯片將繼續(xù)采用該公司的TC-NCF堆疊技術(shù)以及先進(jìn)的1bDRAM節(jié)點(diǎn)——這一方案旨在保持穩(wěn)定的良率和生產(chǎn)穩(wěn)定性。
美光表示,憑借將HBM3E從8層提高到12層的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),公司已做好充分準(zhǔn)備,以滿足2026年及以后不斷增長的客戶需求。美光指出,12層高的HBM3E量產(chǎn)進(jìn)展超出預(yù)期,在良率和產(chǎn)出速度上均優(yōu)于前幾代產(chǎn)品。
SK海力士與三星,路徑分化
SK海力士在下一代高帶寬內(nèi)存的競爭中穩(wěn)步推進(jìn),其HBM4芯片已于2025年初開始樣品測試,量產(chǎn)計(jì)劃于下半年啟動。與美光一樣,這家韓國芯片制造商采用成熟的1bDRAM工藝,并依托新建的M15X工廠提供支持。
與此同時(shí),三星則選擇了一條更具野心但風(fēng)險(xiǎn)更高的路線。該公司押注其第六代1cDRAM節(jié)點(diǎn),為HBM4的推出提供支撐,量產(chǎn)目標(biāo)定在2025年末。據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道,三星目前1cDRAM的良率在50%至70%之間。此外,有消息稱三星計(jì)劃從2026年起,在華城和平澤工廠加大1c產(chǎn)能的投入。
然而,三星整體的HBM發(fā)展路線圖因HBM3E芯片遲遲未獲英偉達(dá)認(rèn)證而蒙上陰影——這一延遲引發(fā)了業(yè)內(nèi)的擔(dān)憂。盡管部分分析師認(rèn)為三星有望在HBM4領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)趕超,但良率穩(wěn)定性方面的疑慮引發(fā)了新的審視。在美光最近的財(cái)報(bào)電話會議上,分析師再次追問:如果三星未能跟上進(jìn)度,美光是否有能力填補(bǔ)供應(yīng)缺口。
不過,也有投資人表示看好三星的前景。NinetyOneGlobalStrategyFund亞洲股票基金的聯(lián)席經(jīng)理查理·林頓表示,盡管三星的股價(jià)表現(xiàn)落后于SK海力士,但一旦三星下一代DRAM芯片投入生產(chǎn),有望幫助其股價(jià)追上同行。今年以來,三星股價(jià)上漲了20%,而SK海力士的股價(jià)則飆升了60%。
“目前所有人都對三星持倉不足,”同時(shí)持有SK海力士股票的林頓說道,“我們對此持相對更樂觀的態(tài)度,部分原因是其估值看起來極具吸引力?!?/p>
中國股票在該基金中占比近三分之一。林頓持有北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司的股票,他認(rèn)為,憑借本土化努力以及快于國內(nèi)同行的增長速度,北方華創(chuàng)可作為中國半導(dǎo)體實(shí)力崛起的代表性企業(yè)。
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